Bi1.6 La0.4 Ti2O7薄膜的制备及性能研究.pdf

第５３卷　第 １ 期 中山大学学报 （自然科学版） Ｖｏｌ５３　Ｎｏ１ 　 ２０１４年　１ 月 ＡＣＴＡ　ＳＣＩＥＮＴＩＡＲＵＭ　ＮＡＴＵＲＡＬＩＵＭ　ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＡＴＩＳ　ＳＵＮＹＡＴＳＥＮＩ Ｊａｎ　２０１４ 　 Ｂｉ Ｌａ Ｔｉ Ｏ 薄膜的制备及性能研究 １６ ０４ ２ ７ 陈如麒 ，徐初东 ，朱贵文１ ２ ３ （１．华南农业大学公共基础课实验教学中心，广东广州５１０６４２； ２．华南农业大学理学院，广东广州５１０６４２； ３．广东药学院基础学院，广东广州５１０００６） 摘　要：采用化学溶液沉积法在ＩＴＯ基片上制备不同退火温度的掺镧钛酸铋Ｂｉ Ｌａ Ｔｉ Ｏ （ＢＬＴ）薄膜。研究 １６ ０４ ２ ７ 了其结构、介电性能、漏电流密度与外加电压ＩＶ关系曲线和光学带隙。ＸＲＤ射线衍射测试结果表明，经５００、 ５５０、６００ ℃ １ ｈ退火后的薄膜的主晶相为烧绿石结构，无杂相生成，６００ ℃时ＢＬＴ薄膜衍射峰比其他两种温度 的强。在１ ｋＨｚ频率下测得的介电常数、损耗因子分别为１１４，３％；１２９，３％；１９４，６％。ＢＬＴ薄膜的漏电流密 度与外加电压关系曲线表明，ＢＬＴ薄膜６００ ℃的漏电流比５５０ 和５００ ℃稍微减小。通过透射谱分析得到ＢＬＴ薄 膜的光学带隙几乎不受温度影响，均为３７ ｅＶ。这些结果表明制备ＢＬＴ 固溶体薄膜较佳为退火温度６００ ℃，具 有较好的性能，在光电器件有良好的应用前景。 关键词：化学溶液沉积法；Ｂｉ Ｌａ Ｔｉ Ｏ ；光学带隙；介电 １６ ０４ ２ ７ 中图分类号：Ｏ４８４　　文献标志码：Ａ　　文章编号：０５２９ －６５７９ （２０１４）０１ －００７８－０５ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆＢｉ Ｌａ Ｔｉ Ｏ １６ ０４ ２ ７ ＣＨＥＮＲｕｑｉ ，ＸＵＣｈｕｄｏｎｇ ，ＺＨＵＧｕｉｗｅｎ１ ２ ３ （１．Ｃｅｎｔｅｒ ｏｆＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ Ｔｅａｃｈｉｎｇ ｆｏｒ Ｃｏｍｍｏｎ Ｂａｓｉｃ Ｃｏｕｒｓｅｓ，Ｓｏｕｔｈ Ｃｈｉｎａ Ａｇｒｉｃｕｌｔｕｒａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ， Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６４２，Ｃｈｉｎａ； ２．Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，Ｓｏｕｔｈ Ｃｈｉｎａ Ａｇｒｉｃｕｌｔｕｒａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６４２，Ｃｈｉｎａ； ３．Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆＢａｓｉｃ Ｃｏｕｒｓｅｓ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ５１０００６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂｉ Ｌａ Ｔｉ Ｏ （ＢＬＴ）ｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｏｎ ＩＴＯｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｕｓｉｎｇ ａ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｏ １６ ０４ ２ ７ ｌｕｔｉｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅｉｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，ｃｕｒｒｅｎｔｖｏｌｔａｇｅ （ＩＶ）ｃｕｒｖｅｓａｎｄｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｎｓｔａｎｔｓｗｅｒｅ ａｎａｌｙｚｅｄ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｏｆＸｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ （ＸＲＤ）ａｎａ