Bi2MoO6纳米薄膜的制备及其光电性能.pdf

物理化学学报(H亿聒胁矧Ⅱ圯弛lP施口) NOveⅡlber Ac组P^M—C讫砌．跏．，2007，23(11)：1671—1676 1671 【Anicle】 Bi2M006纳米薄膜的制备及其光电性能 满毅 宗瑞隆 朱永法。 (清华大学化学系，北京100084) 摘要： 采用非晶态配合物法在Ⅱ-o导电玻璃上制备了Bi朋006薄膜．采用扫描电子显微镜(sEM)、x射线衍射 (Ⅺm)、激光拉曼光谱(LRs)、紫外．可见漫反射谱(DRs)、光电流响应谱、光电转换量子效率(聪E)等技术研究了 Bi2MoO。薄膜的制备工艺、形貌、结构与薄膜光电性能的关系．结果表明，500℃、1h焙烧后的BiavIoO。薄膜为7． BidⅡoO。晶相，沿(131)晶面方向生长，薄膜厚度约为69rlm．随着焙烧温度的升高和焙烧时间的延长，Bi舭006薄 性，在可见光照射下可以产生光电流，优化条件下的Bi2M006薄膜在400蛐的光电转换量子效率可以达到 2．14％．薄膜的光电响应和光电转换量子效率受薄膜形貌及结晶状态影响，可以通过控制薄膜的制备条件来提高 薄膜的光电转换量子效率． 关键词：Bi2M006薄膜；非晶态配合物；光电化学；可见光 中图分类号：0646 andPhotoelectrochemicalof Films Preparation PropertiesBi2M006 MANYi ZONG ZHU Ruj—Long Yong·Fh‘ ‘pepdm舱m对chenli或秽．Tsingh龇Univers渤，Be秘讯glo0084．P．R．Chin曲 Abs们ct： filInsonⅡD subs呲swer；c Bi2M006 91ass prcparedfbm踟巾h叫scomplexpI-ecursorbydip-coating betweenc∞ditionsof tc圮砌que．Therelationshjps p陀par翟血。皿smlcmres，morDholo譬ies柚dphotoelecm)chemical of wer；c Bi2M006films propenies iIlVestigatedbyusiIlgsc咖iIlgelec缸加Inicmscope(SEM)，X-mydi所acti∞()讯D)， la∞rR锄an nD-cu玎ent at500℃6Dr1h conversi∞ef!ficiency(聪E)．Bi2M006fil傩p佗pared werie’LBidd006phase，柚dBi2M006 thicknessof廿lefil瑚0btaill甜w雒about69哪．1ksizeof廿le n锄oparticlesgrewalon2(131)pla北．11le Bi：M006 wittl w鹤iIlc他ased calcir嘶on andextentionofcalcination nanop枷cles rising tcmperamrc time，ina删tionk at fil】mhad Bi2M006