CCPICP混合放电C4F8Ar等离子体高、低频功率对AZO薄膜绒面效果的影响.pdf

助 锨 材 料 CCP／ICP混合放电C4F8／Ar等离子体 高、低频功率对AZO薄膜绒面效果的影响。 吴明智1’2，金成刚1,2，王飞1’2，黄天源1’2，吴雪梅1’2，诸葛兰剑1’3 (1．苏州大学物理科学与技术学院，江苏苏州215006； 2．江苏省薄膜材料重点实验室，江苏苏州215006；3．苏州大学分析测试中心，江苏苏州215006) 摘 要： 室温下，采用射频磁控溅射方法在石英基片 本文所用的等离子体处理设备为自行研制的ICP 上制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用ccP／增强双频CCP放电系统。装置如图1所示。相互平 ICP混合放电C。F。／Ar等离子体对制得的AZO薄膜行的上电极与下电极问距为5．75cm，其直径分别为 进行绒面处理。利用原子力显微镜(AFM)对薄膜表 面形貌进行表征，利用光纤光谱仪分析放电产生的碳 天线直径为13cm的单匝圆环，位于两电极中间，天线 氟基团含量的变化。实验结果发现低频功率的增大能 一端通过匹配网络与射频电源相连，另一端通过电容 够有效增加等离子体中F原子的含量，进而提高薄膜 接地。工作气体从上电极处均匀地进入腔室中。此装 的刻蚀效果，获得较好的绒面结构；但是高频功率变化 置在双频CCP放电的基础上增加了ICP放电，可以同 对薄膜刻蚀效果影响较小。 时使用ICP和CCP两种方式产生等离子体，达到增强 关键词： AZO；CCP／ICP；绒面结构；发射光谱 放电提高等离子体密度和更精确、独立控制等离子体 中图分类号：053 文献标识码：A 密度和离子能量的目的。 文章编号：1001—9731(2013)05—0744—04 1 引 言 ZnO薄膜是一种新型Ⅱ一Ⅵ族宽禁带半导体氧化 光谱窗口 物材料，通常采用B、A1、Ga、In等ⅢA族元素对ZnO 进行掺杂以提高其导电性能和热稳定性[1]。掺铝氧化 锌(AZO)薄膜不仅光电性能良好，而且稳定性高、相对 于ITO材料成本低，已经成为制造透明导电薄膜 直 (TCO)理想材料之一[2。4]。AzO透明导电薄膜作为太 图1 ICP／CCP装置示意图 阳能电池前电极使用时，还需要具有一定的绒面结构 1Schematicof CCP／ICP Fig dischargesystem 来提高电池的光电转换效率[5]，通常在制备工作结束 将制备好的基片放在下电极中央处。上电极、ICP 后会对薄膜进行后续的处理来提高薄膜光电性质和获 得较好的绒面结构，如退火H6]、湿法刻蚀[7]、等离子体 X 的射频电源相连。在本底真空为7．010一Pa，工作 处理[81等。本文在室温下采用射频磁控溅射法在石英 片上制备了AZO透明导电薄膜，使用ICP增强双频 CCP等离子体放电系统，对制得的AZ0薄膜进行了 研究了低频功率和高频功率变化对薄膜表面形貌的影 不同高频和低频功率的C。F。／Ar等离子体处理。 响。 2 实 验 2．2测试方法 P47