GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真.pdfVIP

第 卷第 期 半 导 体 学 报 ， 25 12 Vol . 25 No. 12 年 月 ， 2004 12 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Dec. 2004 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! GaN-MOCVD 设备反应室流场的CFD 数值仿真 刘 奕 陈海昕 符 松 （清华大学工程力学系，北京 100084 ） 摘要：采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN 的重要设备MOCVD（金属有机物化学气相沉积）反应室中 的流场结构进行了三维数值仿真. 数值模拟采