VHF-PECVD法制备氢化硅薄膜及单结电池.pdfVIP

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  • 2015-09-19 发布于湖北
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VHF-PECVD法制备氢化硅薄膜及单结电池.pdf

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第34卷第6期 人 工 晶 体 学 报 v01.34No.6 ;!!墅主生!兰旦 !Q旦曼!坠兰Q!曼!盟!旦垦旦垦鱼!塑堡!!垒堕 旦皇!!巴塾塑:型 吴志猛1,雷青松1,赵颖2,耿新华2,奚建平1 (1上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海200030; 2南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071) 摘要:利用VHF-PEcVD分解硅烷和氢气的混合气体来制备本征微晶硅薄膜。运用拉曼散射和x射线衍射研究了 不同硅烷浓度对薄膜的影响。随着硅烷浓度的增加,沉积速率和光敏性增加而晶化率下降。将优化的本征材料应 用到pin电池中,得到本征层厚度约为1斗m的微晶电池,效率达5.87%。 关键词:微晶硅;硅烷浓度;太阳电池 中图分类号:TN304.055 文献标识码:A SniconFilmsand Microcry

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