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第25卷第2期 太 阳 能 学 报 眦25，No．2 slNl(、A Apr，2n04 2004年4月ACI^ENERGIAE竖)LARIS 06 文章编号：0254一∞96(2004)02一0127 VHF．PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜 杨恢东1一，吴春亚1，黄君凯2，麦耀华1，张晓丹1， 薛俊明1，任慧志1，赵颖1，耿新华1，熊绍珍1 (1南开大学光电所，天津30007l；2暨南大学电子工程系，广州510632) 长过程进行r原位监测，并对不『司沉积条件下v卜IF等离子体中SiH“和H’的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系 进行了分析与讨论。通过Ran诅n光谱、x射线衍射与扫描电子显微镜(姐M)测量，研究了f廿si：H薄膜的结构特征与 表面形貌。基于当前的沉积系统，对”c．sH薄膜沉积条件进行了初步优化，使『上c—si：H薄膜的沉积速率提高到 2．Orlm／s。 关键词：光发射谱；氢化微品硅薄