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AP9T19GH/J
Pb Free Plating Product
Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp. POWER MOSFET
▼▼ Low Gate Charge BV 12V
▼▼ D DSS
▼▼ Capable of 2.5V gate drive R 16mΩ
▼▼ DS(ON)
▼▼ Single Drive Requirement I 33A
▼▼ G D
S
Description
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D
S TO-252(H)
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, ultra low on-resistance and
cost-effectiveness.
G
D
S TO-251(J)
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter Rating Units
VDS Drain-Source Voltage 12 V
VGS Gate-Source Voltage ±12 V
I @T =25℃ Continuous Drain
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