HL一1托卡马克硼化实验的M杂质辐射特性.pdfVIP

一 [} 革l3卷 第4期 匣 子 与 分 子 物 理 学 报 Vo[．13．№．4 l996年 l0月 CHINESEJOURNA1．OFATOM|C ANDMOLECUIARPHYSICS Oct．I906 HL一1M 托卡马克硼化实验 的 杂 质 辐 射 特 性 王 004I 胖 躲 。 关键词：_硼_·_’化’…VUV光谱堂杂质’e。一驻… 杂质辐射造成等离子体的能量损失，影响等离子体的平衡稳定。当杂质超过一定水平 时，容易引起等离子体严重破裂，使放 电和许多有意义的实验难 以进行。因此，有效控制杂 质成为人们关注的问题 。 在HL一1托卡马克上 曾采用蒸钛，碳化等手段来控制杂质 ，虽然取得一定的效果，但 是，蒸钛仅对减少轻杂质有效 ，而钛本身就是金属杂质，当放 电参数较高时，来 自钛膜的钛 杂质又污染等离子体 ；碳化对抑制重金属杂质有效，而碳膜及其吸附的氧释放出来．叉造 成轻杂质碳和氧增加，在HL一1装置运行参数 以轻杂质为主的情况下 “’，轻杂质再度增 加不是我们所希望的，所以碳化未能效地控制HL一1装置 中的主要杂质。 在HL一1M 装置上引进 了先进的硼化技术，对控制杂质取得了很好的效果。下面介 绍用vuv光谱方法观测分析得出的结果。 2 结果及分析 在HL一1M 托卡马克上首次进行了器壁硼化实验 。采用CB H 固态材料硼化 ，其优 收稿 日期 ：l996年2月11日 423 点是毒性小 ，对装置周 围的环境 污染 ，』、。硼化后 ，由于H：大量增 加 ，H 的再循 环很大 ，采用He 直流辉光放 电清洗 l一2小时， 当H：减小到一定程度后才正式 进行装置放 电。图l是硼化前后 HLo辐射 的比较 。硼化后经过He 直流辉光放 电清洗，H 辐射 已 降到疑略高于硼化前的水平 。 硼 化 后 ，观 察 了B Ⅱ136．2 nm谱 线 ，其强 度高 出本底 (背 T (rose) 景)信号约2O倍 ，证 明已实现硼 l 嘲 lE ¨ ，抒强 化 ，见图2。 硼化 的第一个特 点是 ，不但 能抑制等离子体中的轻杂质，而 且能抑制重金属杂质 。这是其它 杂质控制手段难 以实现 的优点。 观察 了硼化前后一系 的轻杂质 C、O和重金属杂质Cr、Ni、Fe等 谱线 。分析得 出：轻 、重杂质都 明 显 减少 ，其 中0 减少约65 ，C 减 少60 ，Cr减 少 96 ，Ni减 少85 。由图3、4、5、6可以看出 0 Ⅵ lO。．2nm ，C Ⅲ97．7nm ， CrV l58．0nm ，N iⅥ 108．8 nn1 封2 删化脯五底情号 哪化后Ij0：线 谱线强度 比硼化前都有明显降 低 ，说 明硼化有效地抑制等离子 体中的各种杂质 。从 由2降到 1．5，也证明了这一结果 B化抑制 杂 质 的机 理是B 化形成CB…H 膜覆盖器壁和孔 栏 ，B膜吸0 ，防止器壁和孔栏 杂质溅射 。硼化材料CB。H 中 含 c元素 ，硼化后c杂质减少 出乎预料 。解释是HL一1M 装置 的器壁大部分被C瓦覆盖 ．孔栏 是 由石墨制成的，CB H 和纯 圈3 硼化 前后 ()Ⅵ谱线 424 C 的器壁、孔栏相 比．含C量少 得 多，所 以CB．。H 膜能有效地 抑制C杂质 。 ． 硼化 的第二个特 点是能较 长