InGaAs_GaAs应变量子阱能带结构的计算(论文资料).pdfVIP

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InGaAs_GaAs应变量子阱能带结构的计算(论文资料).pdf

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37 4 Vol． 37 No． 4 第卷第期北京工业大学学报 2011 4 JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Apr． 2011 年月 InGaAs / GaAs 应变量子阱能带结构的计算 1 1，2 1 1 ，，，宋晏蓉华玲玲张鹏张晓 (1．， 100124 ;2 ．， 101601) 北京工业大学应用数理学院北京华北科技学院基础部河北燕郊 : ，． InGaAs / GaAs 摘要为了进一步优化半导体激光器的性能讨论了影响激光器中许多参数的能带结构以应， 6 × 6 Luttinger-Kohn ，变量子阱材料为例利用有限差分法对考虑价带混合效应的哈密顿量精确求解得到导带和．，价带的能带结构图计算结果表明应变改变了传统无应变量子阱激光器中轻的导带有效质量与非常重的价带，．有效质量之间的巨大不对称性更有利于提高激光器的性能 : ; ;6 × 6 Luttinger-Kohn ; 关键词应变量子阱能带结构哈密顿量有限差分法中图分类号:O 4 17 文献标志码:A 文章编号:0254 － 0037 (2011)04 － 0565 － 05 通过改变半导体材料能带结构而改变半导体激光器性能的能带工程是当今半导体光电子器件发展的．，、、、、热点量子阱结构出现后使人们可以通过选择阱宽阱深垒厚垒高引入应变等自由地对量子阱的能，，、带结构进行调整尤其是应变的引入会带来许多新的特征如材料中能带结构的改变空穴有效质量的减［1-2］、、、．小态密度的改善透明载流子浓度的降低微分增益的增大等这些特性在某种程度上影响了半导体，，激光器的性能尤其是激光器的增益特性及输出波长因此对应变量子阱能带结构进行理论分析具有非常． InGaAs / GaAs ，，重要的实际意义