LTPS低温多晶硅技术浅析(论文资料).pdfVIP

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2015-09-20 发布于重庆
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LTPS低温多晶硅技术浅析(论文资料).pdf

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LTPS LTPS Low Temperature Poly-silicon LTPSLTPS Amorphous-Silicona-Si Polysilicon () 0.1 um LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 900C SPC (Solid Phase Crystallization) 650 LTPS a-Si0.5 cm2/V ‧SLTPS 50200 cm2/V ‧Sa-Si TFT-LCDTFT-LCD(aperture ratio) SOGLTPS AM-OLEDLTPS a-SiLTPS 600 LTPSa-Si “”laser anneala-SiLTPSa-Si 100 LTPS PANEL a-Si PANEL LTPS PANEL a-Si PANELLTPSa-Si 1 IC 2 3 4 5 a-Si TFT LTPS TFT a-Si TFT LTPS TFT 2 2 TFT 0.3~0.7 cm /V ‧S 100 cm /V ‧S TFT 1 1/2 180G 300G 1,000 10,000 4,000 200 PCB 2 1 TAB-IC Scan3 Data 10 270 195 p-Si a-SiLTPS TFTLTPSa-Si a-SiLTPS 2/V ‧SIC a-Si TFT 1 cm a-Si TFTICp-Si 100 cm2/V ‧SICICPCB p-Si TFT a-Si p-Si TFT IC LTPS 1Metal Induced Crystallization (MIC) SPC SPC 500~600 2Cat-CVD: (poly-film) 300 SiH -H catalytic cracking reaction 4 2 3Laser anneal: Excimer a-Sipoly-film siyuren