N沟道增强型MOS管的工作原理(论文资料).pdfVIP

N 沟道增强型 MOS 管的工作原理 1．v 对 i 及沟道的控制作用 GS D MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多 数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可以看出， 增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背 的PN结。当栅-源电压 v =0时，即使加上漏-源电 GS 压 v ，而且不论 v 的极性如何，总有一个PN结处 DS DS 于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时 漏极电流 i ≈0。 D 若在栅-源极间加上正向电压，即 v ＞0，则栅 GS 极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于 (a) 半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能 排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底 中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离 子)，形成耗尽层，同时P衬底中的电子（少子） 被吸引到衬底表面。当 v 数值较小，吸引电子的 GS 能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如 图1(b)所示。v 增加时，吸引到P衬底表面层的 GS 电子就增多，当v 达到某一数值时，这些电子在 GS 栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与 两个N+区相连通，在漏-源极间形成N型导电沟道， 其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图 1(c)所示。v 越大，作用于半导体表面的电场就越 GS (b) 强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越 厚，沟道电阻越小。我们把开始形成沟道时的栅- 源极电压称为开启电压，用 V 表示。 T 由上述分析可知，N沟道增强型MOS管在vGS ＜V 时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。 T 只有当 v ≥V 时，才有沟道形成，此时在漏-源极 GS T 间加上正向电压 v ，才有漏极电流产生。而且 v DS GS 增大时，沟道变厚，沟道电阻减小，i 增大。这种 D 必须在v ≥V 时才能形成导电沟道的MOS管称为增 GS T 强型MOS管。 (c) 图 1 2．v 对 i 的影响 DS D 如图2(a)所示，当 v V 且为一确 GS T 定值时，漏-源电压 v 对导电沟道及电 DS 流 i 的影响与结型场效应管相似。漏 D 极电流 i 沿沟道产生的电压降使沟道 D 内各点与栅极间的电压不再相等，靠近 源极一端的电压最大，这里沟道最厚， 而漏极一端电压最小，其值为 v v - GD GS v ，因而这里沟道最薄。但当 v 较小 DS DS （v v –V ）时，它对沟道的影响不 DS GS T 大，这时只要 v 一定，沟道电阻几乎 GS