不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究.pdfVIP

第29卷，第9期 光谱学与光谱分析 2009年9月 and Analysis SpectroscopySpectral September，2009 不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究 超1 黄金英1，徐 征h，张福俊1，赵谡玲1，袁广才1’2，孔 1．北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室，北京交通大学光电子技术研究所，北京 100044 2．北京京东方科技集团股份有限公司，北京 100016 缘层的器件具有更好的性能，其场效应迁移率为0．207CITl2·Vs～，开关电流比为4．93×103，阈值电压为 一4．3V；而以Si()2为绝缘层的器件，其场效应迁移率仅为0．039crfl2·Vs～，开关电流比为5．98×102，阈 值电压为一5．4V。为分析器件性能差异的原因，测得了Si()2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积 的均方根值为0．216nlTI，而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1．579nlTl；且发现在PMMA上生长的 并五苯薄膜的成膜质量优于在Si()2，具有较大的品粒尺寸和较少的晶粒间界。通过Ⅺm图谱发现在PM— MA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰，进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶 状况，将更有利于载流子的传输。 关键词并五苯；PMMA；二氧化硅；有机薄膜晶体管 中图分类号：0482．3文献标识码：A 最后的OTFT器件性能。研究发现，有机半导体内载流子传 引 言 输主要取决于绝缘层和有源层之间的界面性质陪1“。在制备 OTFr器件的过程中当选用不同的绝缘材料时，在相同有源 近年来，由于有机薄膜晶体管(OTFT)具有可低温加工， 层的OTFT器件中可以得到不同的载流子迁移率[1“。目前， 成本低，质量轻，与柔性衬底兼容等一系列优点，在平板显 常用于OTFT器件的绝缘层材料有SiQ，～z03，Taz0s等 示[1]，传感器【2—3及低端数据存储[4一]等方面有着非常大的 无机材料，它们具有稳定的热化学性质，但在大面积柔性显 应用前景，对它的研究也便具有非常莺要的意义。自1987年示、低成本溶液加工等方面受到限制，所以有机绝缘材料取 首次制备了有机薄膜晶体管以来【6]，无论是对材料的研究， 代无机绝缘材料是一种必然的趋势[1“。本文制备了基于二 还是对器件结构的改良，OTFT都取得了长足的发展。目 前，利用并五苯为有源层制备的器件，场效应迁移率达到了 缘层表面的AFM图谱及其上生长并五苯薄膜后的AFM和 1．5crD_2·Vs～，开关电流比达到了108，可与非晶硅薄膜晶 XRD图谱，发现以PMMA为栅绝缘层能提高其上生长的并 体管相比拟[7]。有机薄膜晶体管的研究初期，人们主要是针 五苯薄膜的成膜质量以及最终的0TFT器件性能。 对有机半导体材料本身的研究。随着研究的深入，研究的重 点不再局限于有源层材料，开始从电极，绝缘层，有源层， 1实验 基片材料的选取及匹配方面进行深入的研究。并从器件结构 和制备t艺的优化等方面，来改善oTFT器件的性能。在诸 选用带有氧化铟锡(IT0)的玻璃为衬底，ITO玻璃依次 多因素当中，绝缘层在整个有机薄膜晶体管中起着至关重要 经过酒精、丙酮及去离子水超声清洗，每次各20min，最后 的作用，绝缘层的表面影响着其上生长的有机半导体薄膜的 用氮气吹干。然后在处理干净的ITO衬底上制备绝缘层。我 生长，而有机半导体的生长过程直接影响着薄膜的结构以及