- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
NiOx阻变存储器性能增强方法及相关机理研究,阻变存储器,磁阻随机存取存储器,电阻存储器,阻变式存储器,二极管做阻变存储器,电阻随机存取存储器,eplan存储器访问受阻,阻燃机理,三氧化二锑阻燃机理
49 6 () Vol.49 o.6
2010 12 Journal of Fudan University ( atural Science) Dec. 2010
: 2010)
NiOx
顾晶晶, 陈 琳, 徐 岩, 孙清清, 丁士进, 张 卫
( , 200433)
: Pt iO ,5 ,
x
T i / iO /Pt . , iO , i
x x
, iO . X X
x
2+ 2+ 3+ 3+
, iO i , i i , i
x
P iO . , iOx
2+
i ,T i / iO /Pt , .
x
, iO .
x
: ; ; ; ;
: T 402;T P 333 : A
,Flash .
, .,
, ( ferroelectric random access memory, FRAM) ( magnetic
random access memory, MRAM) (phasechange random access memory, PRAM)
( resistive random access memory, RRAM) .
CMOS .
,Flash .
/ / (metalinsulatormetal, MIM) ,
, ! ! . 0! 1!
., :
[ 16] [7]
x 2 2 5 2 3
( Cu O,ZrO , b O , TiO , iO) ( SrZrO ) .
, iOx RRAM ,,
[ 810]
, .
RRAM iOx ,
iOx i2 ., iOx
i/ O , , ,. i/ O
i , i iOx
[6, 11]
, ,.,
iOx ( Tsub ) iOx ,,
,RRAM ,
iOx RRAM .
:
: (
: ( 1986 ) , , ;, ,, , Email: qqsun@ fudan. edu.cn.
704 () 49
1
ULVAC ACS400C4 ,
.: Ar
99. 99% i ,Ar O2 ,,
- 5 - 1
10 Pa 10 Pa, 150 W.( O2/ Ar+ O2)
5%~ 40%, i/ O ;
300~ 500 K , .
SOPRA GES 5E ,
D/ maxBX iOx ,
x
VEECO MultimodeV iO
, Kratos Axis Ultra DLD X
iOx .
iOx , Ti /T i
, 400 m, Ti /T i/ iOx / Pt ( MIM)
文档评论(0)