NiOx阻变存储器性能增强方法及相关机理研究.pdfVIP

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49 6 () Vol.49 o.6 2010 12 Journal of Fudan University ( atural Science) Dec. 2010 : 2010) NiOx 顾晶晶, 陈 琳, 徐 岩, 孙清清, 丁士进, 张 卫 ( , 200433) : Pt iO ,5 , x T i / iO /Pt . , iO , i x x , iO . X X x 2+ 2+ 3+ 3+ , iO i , i i , i x P iO . , iOx 2+ i ,T i / iO /Pt , . x , iO . x : ; ; ; ; : T 402;T P 333 : A ,Flash . , ., , ( ferroelectric random access memory, FRAM) ( magnetic random access memory, MRAM) (phasechange random access memory, PRAM) ( resistive random access memory, RRAM) . CMOS . ,Flash . / / (metalinsulatormetal, MIM) , , ! ! . 0! 1! ., : [ 16] [7] x 2 2 5 2 3 ( Cu O,ZrO , b O , TiO , iO) ( SrZrO ) . , iOx RRAM ,, [ 810] , . RRAM iOx , iOx i2 ., iOx i/ O , , ,. i/ O i , i iOx [6, 11] , ,., iOx ( Tsub ) iOx ,, ,RRAM , iOx RRAM . : : ( : ( 1986 ) , , ;, ,, , Email: qqsun@ fudan. edu.cn. 704 () 49 1 ULVAC ACS400C4 , .: Ar 99. 99% i ,Ar O2 ,, - 5 - 1 10 Pa 10 Pa, 150 W.( O2/ Ar+ O2) 5%~ 40%, i/ O ; 300~ 500 K , . SOPRA GES 5E , D/ maxBX iOx , x VEECO MultimodeV iO , Kratos Axis Ultra DLD X iOx . iOx , Ti /T i , 400 m, Ti /T i/ iOx / Pt ( MIM)

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