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10.1 各向异性磁电阻测量 实验目的 （１）初步了解磁性合金的AMR，多层膜的GMR，掺碱土金属稀土锰氧化物的CMR。 （２）初步掌握室温磁电阻的测量方法。 实验原理 1.各向异性磁电阻 一些磁性金属和合金的ＡＭＲ与技术磁化相对应，即与从退磁状态到趋于磁饱和的过程相应的电阻变化。外加磁场方向与电流方向的夹角不同，饱和磁化时电阻率不一样，即有各向异性。通常取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量ＡＭＲ。即有Δρ∥＝ρ∥－ρ（０）及Δρ⊥＝ρ⊥－ρ（０）。若退磁状态下磁畴是各向同性分布的，畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小，将之忽略，则ρ（０）与平均值ρav＝１／３（ρ∥＋２ρ⊥）相等。大多数材料ρ∥＞ρ（０），故 ＡＭＲ常定义为 如果ρ０≠ρav，则说明该样品在退磁状态下有磁畴织构，即磁畴分布非完全各向同性。图12.1-3是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的Ni81Fe19的磁电阻曲线，很明显，，各向异性明显。图中的双峰是材料的磁滞引起的。图12.1-4是一些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。 实验仪器 亥姆霍兹线圈、电磁铁、特斯拉计、毫特斯拉计、大功率恒流电源、大功率扫描电源、精密恒流源、数字微伏表、双路ＡＤＣ数据采集卡及软件，计算机，四探针样品夹具。 实验内容 A．方法 1.将样品切成窄条，这在测AMR时是必需的。对磁性合金薄膜，饱和磁化时，样品电阻率有如下关系: 其中θ是磁场方向与电流方向的夹角。 为保证电流有一确定方向，常用的方法是：（１）将样品刻成细线，使薄膜样品的宽度远远小于长度。（２）用平行电极，当电极间距远小于电极长度时，忽略电极端效应，认为两电极间的电流线是平行的。 2.用非共线四探针法测电阻值，如图12.1-10所示。这种方法当数字微伏表内阻很大时，可以忽略探针接触电阻的影响，已在半导体、铁氧体、超导体等的电测量中广泛使用。 B.测量 1.测量Ｆｅ-Ｎｉ薄膜的ＡＭＲ a.将大功率恒流源与亥姆霍兹线圈连接。 b.将样品装上四探针夹具，并作如图12.1-9所示连接。 c.将装好样品的夹具固定在亥姆霍兹线圈中心，并确保电流方向与磁场方向平行。 d.将毫特斯拉计探头固定在样品附近。 e.确保所有仪器调整旋钮均在输出为零位置，启动所有测量仪器，预热５～１５分钟，并作校准。 f.调整精密恒流源输出，使测量电流（流过样品的电流）为１～１００ｍＡ范围内的某个确定电流，具体大小视样品情况与测量仪表精度决定。 g.调节大功率恒流源输出电流，从零开始，逐点增大，以改变磁场大小，逐点记录大功率恒流源输出电流值、毫特斯拉计显示的磁场大小、数字微伏表显示的电压值。注意开始时磁场变化的步距要小。 h.当磁场继续增大，微伏表显示电压值基本不变时，将大功率恒流源输出电流逐点减小，仍作上述记录。 i.当大功率恒流源输出电流降到零时，将输出极性反向。 j.再重复ｇ、ｈ两步测量、记录。 k.将样品夹具转９０°固定好，确保电流方向与磁场方向垂直，再重复ｅ-ｊ步测量、记录。 1.关闭所有仪器电源，将与亥姆霍兹线圈连接的恒流源换接成大功率扫描电源。将毫特斯拉计输出端与电脑Ｘ-Ｙ记录仪的Ｘ输入端连接，将微伏表的放大输出端与电脑Ｘ-Ｙ记录Ｙ输入端连接，将电脑Ｘ-Ｙ记录仪控制输出端与大功率扫描电源控制端连接。 m.启动所有仪器，预热５～１５分钟后，在计算机上启动自动测量记录程序，自动测出磁电阻曲线，将样品夹具转９０°再自动测出另一方向的磁电阻曲线。 n.将手动测量记录的数据，绘制Ｒ-Ｈ曲线（横坐标为磁场大小，纵坐标为电阻大小）。 o.计算出ρａｖ，饱和磁化时间Δρ∥、Δρ⊥以及ＡＭＲ。 数据及结果 根据测得的数据绘制R-H曲线。因为I=6A，根据数字电压表的读书U，即可计算R=UI，因此R∝U。 又H∝i，多疑R-H曲线亦可用U-i曲线表示，其中i是扫描电源的输出电流。 可得 λ*ρ0=7.357 λ*ρ∥=7.576 λ*ρ⊥=7.270 λ为常数。 可得 AMR==4.16% 思考题 1.测量AMR后计算出的ρav、ρ（０）是否相同，如不同说明什么问题？ 答：不同，样品在退磁状态下具有磁畴结构，样品不完全具有各向同性。 4.测量中如何减小热效应对测量的影响? 答：1，减少测量时间。2，保持测量环境易于传递热量，保持样品温度稳定。 5.样品夹具采用材料有何要求? 答：材料不具有铁磁性，在外加磁场作用下，其磁性变化越小越好。