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场引晶体管理论Ⅻ.双极飘移扩散电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极).pdf
第29卷第7期 半 导 体 学 报 V01．29No．7
2008年7月 JOURNALOFSEMIcoNDUcToRs July，2008
The of
Field-EffectTransistors
Theory
XII．The DriftandDiffusion
Bipolar Currents
(1_2-MOS·GatesonThin-Thick Base)。
Pure-Impure
Jie
Binbinl”andSah
Chih-Tan912，3，+
(1 100871，China)
PekingUniversity，Beijing
(2UniversityD，Florida，Gainesville，Florida32605，USA)
(3Chinese
Academyof 100864，China)
Sciences，ForeignMember，Beijing
Abstract：The the ofthe Field．EffectTransistors．This
previousreport(XI)gaveelectrochemical．potentialtheory Bipolar
thedrift—diffusion treat
report(XII)gives and and thinandthick
theory．Both1-gate2-gate，pure．baseimpure．base．and
base．Bothutilizethesurfaceandbulk asthe variablesto the andcurrent
potentialsparametric couplevoltage equations．In
the drift-diffusion current
present termsareidentifiedtheir forthe
theory，theverymany by mobilitymultipliercompo．
nentsofdrift the for
current，and the ofthediffusion drift-
diffusivitymultipliercomponents current．Completeanalytical
diffus
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