数值模拟pi界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响.pdfVIP

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2015-09-22 发布于湖北
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数值模拟pi界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响.pdf

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数值模拟pi界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响.pdf

第40卷第3期人工晶体学报 V01．40No．3 0FSYNlIHETICCRYSTALS 2011年6月 JOURNAL June．2011 数值模拟p／i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响苗丽燕，杨仕娥，李艳阳，陈永生，谷锦华，卢景霄 (郑州大学物理工程学院，材料物理教育部重点实验室，郑州450052) ofMicroelectronicandPhotonic 摘要：采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis Structures)软件模拟了p／i界面缺陷态密度(州1)和非晶孵化层厚度(d)对piIl型氢化微晶硅(妒-si：H)薄膜太阳电池性能的影响。结果表明：随着 W1的增大，电池的开路电压k和填充因子即单调减小，短路电流L基本不变；随着d的增大，L和FF单调减小，k反而增大；卅’和d值的增大均会导致电池光电转换效率叼下降。通过对电池内部的电场及能带的分析，对上述模拟结果进行了解释。关键词：微晶硅薄膜电池；p／i界面；光电转换效率～、中图分类号：0469 文献标识码：A NumericalSimulationoftheEffectsof Interfaceonthe p／i Performanceof SiliconThinFilmSolarCells Microcrystalline MIAO Li-yan，YANGShi—e，LIYan-yang，CHENYong—sheng，GU以n-hua，LU．尼ng-xiao ofMaterialsof of (KeyLaboratory PhysicsMinistryEducation， School0f and PhysicsEngineering，ZhengzhouUniversity，Zhen瘩zhou450052，China) 201 23 201 (Rece／m／21January February1) 1，accepted this effectsof interfacedefectstate thethicknessof Abstract：In paper，the p／i density(胖1)and incubation the ofthe siliconthinfilm amorphous layer(d)onperformancehydrogenatedmicmcrystalline solarcellswasstudied was the of inUS．7rhe AMPS，which by developedby