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高强度高导电铜及铜合金研究.pdf
前 沿 FRONTIER
高强度高导电铜及铜合金研究
■ 文/周 晨
山东大学材料科学与工程学院
铜(Cu)因导电等性能优异而被广 这方面的研究通过复合材料法和合金 界既能有效限制位错的运动又可以
泛的应用于电气电子工业中[1] ,但纯铜 化法来解决这一问题。一方面,研究显 使其电子散射能力很低的微观结构
硬度、抗拉强度、抗蠕变性能均较低[2] , 示可以用沉淀析出相弥散强化、固溶 获得高强度高导电同时兼得高纯铜。
难于满足电气电子工业某些工况条件 合金强化和合金冷变形强化等合金化 研究通过以硫酸铜(CuSO4 )为电解液
下对其强度的要求。而高强度高导电 法制成高强度高导电铜合金,目前这 的脉冲电沉积法制备了高纯度具有
铜合金因其高导电、高强度,良好的抗 方面的研究较多,技术较为成熟;另一 高密度孪晶的纯铜,透射电镜(TEM)
磨损、抗电弧侵蚀等性能得以广泛应 方面,目前对复合材料法制备的高强 观察表明沉积态的铜大部分是由取
用[3] [4] 度高导电铜合金的研究包括外加颗 向随机的与等轴晶类似的晶粒构成,
,如可用作集成电路引线框架 、电
气工程开关触桥、电气化铁路接触导 粒、纤维等作为增强相铜基复合材料 晶粒尺寸平均为400nm。孪晶的片层
线、大功率异步牵引电动机转子等[5]。 法和原位生成增强相铜基复合材料 厚度平均值为15nm,孪晶的片层长
法。对高强度高导电铜及铜合金的最 度在100 ~1 000nm之间。高密度的生
一、高强度高导电铜合金的制 新研究出现了新的方法,例如利用孪 长孪晶把原本亚微米级别的晶粒分
备概述 晶、稀土元素、碳纳米管(CNT)等手 割成了纳米尺寸的孪晶或基体片层
研究表明,铜合金中如果合金元 段制备出了性能优异的高强度高导 状的微观结构。观察显示,孪晶界绝
素加入量很少,则强化效果不明显。这 电铜及铜合金,并取得了良好的实验 大部分是连续的共晶晶格,只有在少
是因为太少的固溶原子不足以形成足 结果。 数厚的片层结构中观察到了晶格缺
够的Cottrell气团以钉扎位错,从而导 陷。对沉积态铜薄膜进行拉伸测试,
致铜合金不具有足够的抗拉强度 ;而 二、最新研究进展 发现屈服强度达到了900MPa,断裂
铜合金中如果合金元素加入量太多, 1.传统方法 强度达到了1 068MPa,其数值要比
则铜合金导电性能下降严重,难以满 传统强化铜的方法,例如细晶 粗晶铜的数值至少高一个数量级。纳
足性能需求。这是因为加入的合金元 强化、固溶强化等方法在使铜合金强 米孪晶铜的弹性应变与单晶铜相当
素使铜基体的晶格产生缺陷,从而导 度提高的同时引入了晶界、位错、第 为1%~2%,粗晶铜数值为0.01%,并
致铜合金导电性能严重地下降。在铜 二相等缺陷,随之引起的便是对电子 且其延展性能好,延伸率为13.5%。
合金的研究中高强度和高导电性是一 散射的增加,从而引起导电能力的下 经过测试,纳米孪晶铜的电阻率在室
对比较难以调和的矛盾关系。近些年 降。卢柯等[6]通过研究发现利用孪晶 温 下 为(1.75±0.02)×10-8 Ω·m,即
64 Advanced Materials Industry
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