高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究.pdfVIP

第 22 卷 　第 1 期 液 　晶　与 　显 　示 Vol22 ,No 1 2007 年 2 月 Chinese J ournal of Liquid Cry st al s and Di sp lays Feb . ,2007 文章编号 (2007) 0 100 1506 高阻 I TO 基板上电化学沉积 ZnO 薄膜的研究 1 ,2 ,3 1 ,4 5 5 侯旭峰 ,荆 　海 , 谷长栋 ,张会平 ( 1. 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 ,吉林 长春 　130033 ; 2 中国科学院 研究生院 ,北京 　100039 ; 　3 . 吉林北方彩晶数码电子有限公司 , 吉林 长春 　130033 ; 4 . 北方液晶工程研究开发中心 ,吉林 长春 　130022 ; 5 . 吉林大学 材料科学与工程学院 吉林大学汽车材料教育部重点实验室 , 吉林 长春 　130025) 摘 　要 : 利用电化学沉积法 , 以65 ±1 ℃的0 . 1 mol/ L Zn (N O3 ) 2 水溶液作为电解质溶液 ,在 Ω ( ) 方块电阻为 118 / □的氧化铟锡 ITO 玻璃基板上制备了 ZnO 薄膜 。利用扫描电镜观察了 ZnO 薄膜表面形貌 ,结果表明随着电极电势的降低或沉积时间的增加 ,ZnO 薄膜表面颗粒的 六方形结构逐渐明显 。利用 X 射线衍射技术分析了阴极电势和沉积时间对 ZnO 薄膜择优取 ( ) 向的影响 ,结果表明 ZnO 薄膜的 002 择优取向是随电极电势的下降而逐渐减弱的 ,而且随 ( ) 沉积时间的增加 002 择优取向也逐渐减弱 。透射光谱测量表明 ,实验所获得的 ZnO 薄膜在 可见光范围内是透光的 ,平均透过率高达 80 %～90 % ,不同阴极电势下的禁带宽度均为 3 . 5 eV左右 ,且在阴极电势为 - 2 . 5 V 时 ,禁带宽度随沉积时间的增加而逐渐减小 。 关 　键 　词 : ZnO 薄膜 ; 电化学沉积 ; ITO 基板 ;禁带宽度 中图分类号 : O484 . 4 　　　文献标识码 : A 积液 ,通过阴极上发生的还原反应沉积得到 ZnO 1 　引　　言 薄膜 。此外 ,为了测量 ZnO 薄膜光学透过率 ,一 ZnO 是一种具有六方结构的宽禁带半导体 ( ) 般采用透明导电玻璃 I TO 玻璃 作为电化学沉 材料 ,室温下禁带宽度为 3 . 37 eV ,激子结合能高 积的基板 。在以前的研究中 , I TO 玻璃基板通常 达 60 meV ,具有优异的电学 、光学以及声学性能 , ( Ω )