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3.8椭圆形 V 最大参数值 (测试环境温度:+25摄氏度) ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS:(Ta=25°) mA mcd nm v uA IF=20mA UR=5V 40~+65 ℃ Reverse Curret 反向电流 Electyical Optical Characteristics at ta=25℃ 光电参数:(测试环境温度) Symbol 符号 Min 最小值 Type 典型值 Test Condition 测试条件 IV λP Dominant Wavelength         主波长 △λ VF IR 角度 Note:1.Lead spacing is measured where the Ieads emerge from the package 2.Material (Chip) InGaN 产品外型尺如下图所示: Lead Soldering Temperature[3mmFromBody]焊线温(离胶体3mm处焊接 260° Ofor 5 Seconds Max 最大值 Unit 单位 Luminous Intensity       发光亮度 Peak Wavelength         峰值波长 Forward Voltage          正向电压 Lens Color 胶体颜色 OperatingTemperature 正常温度 mW Unit (单位) Parametsr 参数名称 Reverse Voltage 反向电压 Power Dissipation 功耗 Storage Temperature 存贮温度 Continuous Forward Current 正向电流 Spectrum Line Half Width     频普半宽 Paramertsr (参数名称) IF=20mA X:95 Y:40 红色 摘要:1、使用封装材料为环氧树脂 2、使用的芯片材料为氮化镓铟 MODEL(产品型号): DWD-5462RD ° Peak IF(mA)(1/10Duty Cycle 0.1ms pulse Width)瞬间肪冲电流 DVDLED ELECTRONICS CO., LTD 威德光电(深圳)有限公司 600.00 650.00 800.00 625.00 620.00 625.00 630.00 30.00 1.90 2.00 2.10 5.00 5.00 40.00 60.00 20.00

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