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3.8椭圆形
V
最大参数值 (测试环境温度:+25摄氏度)
ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS:(Ta=25°)
mA
mcd
nm
v
uA
IF=20mA
UR=5V
40~+65
℃
Reverse Curret 反向电流
Electyical Optical Characteristics at ta=25℃
光电参数:(测试环境温度)
Symbol 符号
Min 最小值
Type 典型值
Test Condition 测试条件
IV
λP
Dominant Wavelength 主波长
△λ
VF
IR
角度
Note:1.Lead spacing is measured where the Ieads emerge from the package 2.Material (Chip) InGaN
产品外型尺如下图所示:
Lead Soldering Temperature[3mmFromBody]焊线温(离胶体3mm处焊接
260° Ofor 5 Seconds
Max 最大值
Unit 单位
Luminous Intensity 发光亮度
Peak Wavelength 峰值波长
Forward Voltage 正向电压
Lens Color 胶体颜色
OperatingTemperature 正常温度
mW
Unit (单位)
Parametsr 参数名称
Reverse Voltage 反向电压
Power Dissipation 功耗
Storage Temperature 存贮温度
Continuous Forward Current 正向电流
Spectrum Line Half Width 频普半宽
Paramertsr (参数名称)
IF=20mA
X:95 Y:40
红色
摘要:1、使用封装材料为环氧树脂 2、使用的芯片材料为氮化镓铟
MODEL(产品型号): DWD-5462RD
°
Peak IF(mA)(1/10Duty Cycle 0.1ms pulse Width)瞬间肪冲电流
DVDLED ELECTRONICS CO., LTD
威德光电(深圳)有限公司
600.00
650.00
800.00
625.00
620.00
625.00
630.00
30.00
1.90
2.00
2.10
5.00
5.00
40.00
60.00
20.00
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