氮化硅的反应离子刻蚀研究.pdfVIP

第 32 卷 　第 5 期 电 子 器 件 Vol . 32 　N o . 5 2009 年 10 月 Chinese J our nal Of Elect r on Devices Oct . 2009 Study on the Reactive Ion Etching of Si N 3 4 GO U J un , W U Z hi m i ng , TA I H ui l i ng , Y UA N K ai Uni vers ity of Elect ronic S cience an d Technology of Chi na , S t ate Key L aborat ory of Elect ronic T hi n Fi l ms an d I nteg rate d D ev ices , Cheng d u 6 10054 , Chi na Abstract :Reactive ion et ching R IE of silicon nit ride wa s p erfor med wit h C H F3 , C H F3 + CF4 , and C H F3 + O2 a s et ching ga se s. The relation ship bet ween diff erent et chin g ga se s an d t he t hree p aramet er s of et ching rat e , unifor mit y and selectivit y wa s re searched . By co mp aring t he diff erent et chin g re sult s an d op timizing t he ra tio of diff erent ga se s ,t he op timized et chin g p roce ss were obt ained wit h t he et ching rat e a s 119 nm/ min ,t he unifor mit y a s 06 % and t he PR selectivit y a s 362 . Key words :R IE ; silicon nit ride ;et ching ga s ;op timizatio n EEACC :2550 E 氮化硅的反应离子刻蚀研究 苟 　君 ,吴志明 ,太惠玲 ,袁 　凯 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 ,成都 6 10054 摘 　要 :采用 C H F3 、C H F3 + CF4 和 C H F3 + O2 三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀 R IE 实验 ,研究了不同刻蚀气 体对刻蚀速率 、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响 。通过优化气体配比, 比较刻蚀结果 ,最终获得了刻蚀速率 为 119 nm/ min ,均匀性为 06 % ,对光刻胶选择比为 362 的刻蚀氮化硅的优化工艺 。 关键词 :反应离子刻蚀 ;氮化硅 ;刻蚀气体 ;优化 中图分类号 :TN304055 文献标识码 : 　　文章编号 2009 0座机电话号码 刻蚀是在硅片上复制所需图形的最后图形转移 通的工艺中 ,采用 H3 PO4 湿法刻蚀或等离子体刻蚀 的工艺步骤 ,是微机械加工中最关键的工艺之一 ,直 氮化硅就可以取得较好的效果 ,所以专门对氮化硅 接决定着器件的性能和成品率 。干法刻蚀的各向异 刻蚀的研究不多 。但随着 VL SI 中图形线宽越来越 性可以实现细微图形的转换 ,满足越来越小的尺寸 窄 ,氮化硅刻蚀的要求也越来越高 ,如需要经常进行 要求 , 已取代湿法刻蚀成为最主要的刻蚀方式 。其 细线条 、小柱或小孔刻蚀等 ,使得对氮化硅的反应离 中 ,反应离子刻蚀因其具有较高的刻蚀速率 、良好的 子刻蚀工艺的研究变得必要 。 方向性和选择比而得以广泛运用[ 1 ] 。 目前很多文献采用氟基气体刻蚀氮化硅[36 ] ,并 氮化硅 Si N 是一种物理 、化学性能都非常优 对工艺参数 如射频功率 、气体压强及气体流量等 3 4 秀的半导体材料 ,在微机械加工工艺中常被用作绝 进行了优化 ,但同时采用不同气体体系刻蚀氮化硅 缘层 、表面钝化层 、最后保护膜和结构功能层[2 ] 。普 的报道则较少 。本文中采用 C H F3 、C H F3 + CF4 和 收稿 日期 :座机电话号码 　　修改日期 :座机电话号码 作者简介 :苟 　君 1985 ,男 ,硕士研究生