半导体器件物理(第六章) 施敏 第二版.pptVIP

相关主题 基本FET结构 6.1 MOS二极管 6.1.1 理想MOS二极管 理想P型半导体MOS二极管的能带图： 功函数（金属的Φm和半导体的Φs ） 电子亲和力 理想MOS二极管定义： 零偏压时，功函数差Φms为零； 任意偏压下，二极管中的电荷仅位于半导体之中，且与邻近氧化层的金属表面电荷量大小相等，极性相反； 直流偏压下，无载流子通过氧化层。 MOS二极管中三个分离系统的能带图 半导体表面三种状态 三种状态 6.1.2 实际MOS二极管 一、功函数差 金属与半导体功函数差对MOS结构C-V特性的影响 二、界面陷阱与氧化层电荷 主要四种电荷类型：界面陷阱电荷、氧化层固定电荷、氧化层陷阱电荷和可动离子电荷。 6.1.3 CCD器件 6.2 MOSFET基本原理 NMOS晶体管基本结构与电路符号 PMOS晶体管基本结构与电路符号 工作方式——线性区 工作方式——饱和区 过饱和 推导基本MOSFET特性 推导基本MOSFET特性 沟道放大图（线性区） 亚阈值区 6.2.2 MOSFET种类 6.2.3 阈值电压控制 6.2.4 MOSFET的最高工作频率 6.2.5 MOSFET的二阶效应 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管体效应的Pspice仿真结果 沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 6.2.6 MOSFET的温度特性 6.2.7 MOSFET交流小信号模型 MOSFET高频交流小信号模型 6.3 MOSFET按比例缩小 线性区中的阈值电压下跌 DIBL效应(drain-induced barrier lowering) 本体穿通（punch-through ） 狭沟道效应 按CE理论缩小的器件和电路性能 6.4 CMOS与BiCMOS CMOS反相器 CMOS反相器 Latch-up (闩锁效应) Latch-up (闩锁效应) CMOS开关（传输门） BiCMOS 6.5 绝缘层上MOSFET（SOI） 作 业 1 1、画出n衬底的理想MOS二极管的能带 2、P213 5，6，8。 作 业 2 1、P214 15，18，19，20，21 作 业 3 1、什么是短沟道MOSFET的DIBL效应？ 2、画出CMOS反相器的芯片剖面示意图、闩锁效应等效电路？闩锁效应导通条件？ 工艺上避免闩锁效应采取的措施？ 3、比较双极型晶体管与MOSFET两种器 件？ DRAM存储单元基本结构 SRAM存储单元结构图  (a) 六管NMOS存储单元； (b)六管CMOS存储单元 SIMOS管的结构和符号 EPROM存储器结构 EPROM的存储单元采用浮栅雪崩注入MOS管(Floating-gate Avalanche-Injuction Metal-Oxide-Semiconductor, 简称FAMOS管)或叠栅注入MOS管(Stacked-gate Injuction Metal-Oxide-Semiconductor, 简称SIMOS管) Gf栅周围都是绝缘的二氧化硅，泄漏电流很小，所以一旦电子注入到浮栅之后，就能保存相当长时间(通常浮栅上的电荷10年才损失30%)。 擦除EPROM的方法是将器件放在紫外线下照射约20分钟， 浮栅中的电子获得足够能量，从而穿过氧化层回到衬底中， 这样可以使浮栅上的电子消失，MOS管便回到了未编程时的状态，从而将编程信息全部擦去。 Flotox管的结构和符号 E2PROM的存储单元 E2PROM的存储单元 E2PROM的存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管(Floating-gate Tunnel Oxide MOS，简称Flotox)。 Flotox管也是一个N沟道增强型的MOS管，与SIMOS管相似，它也有两个栅极——控制栅和浮栅，不同的是Flotox管的浮栅与漏极区(N+)之间有一小块面积极薄的二氧化硅绝缘层(厚度在2×10-8m以下)的区域，称为隧道区。当隧道区的电场强度大到一定程度(＞107V/cm)时，漏区和浮栅之间出现导电隧道，电子可以双向通过，形成电流。 E2PROM的编程和擦除都是通过在漏极和控制栅上加一定幅度和极性的电脉冲实现的，虽然已改用电压信号擦除了，但E2PROM仍然只能工作在它的读出状态，作ROM使用。 快闪存储器存储单元  (a) 叠栅MOS管； (b) 存储单元 Flash Memory 快闪存储器(Flash Memory)是新一代电信号擦除的可编程ROM。它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除快捷的特性，而且集成度可以做得很高。其结构与EPROM