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DC-DC降压芯片使能保护电路的设计 张睿 （省 市） 摘 要： 关键词：；；；he design of enable protection circuit on DC-DC buck chip Zhang rui (Wuxi Institute Of Commerce, Wuxi Jiangsu 214000,China) Abstract：This paper mainly researched the?DC-DCcircuit, Focus on the design of?the?protection circuit module. When the VEN is less than?1.5V,?the whole chip?off.?When VEN is?more than 1.5Vbut?less than 2.5V,?the power supply?work.?When the enable?VEN?is larger than 2.5V,?the normal work of?the whole?chip.5v-low voltage devices of CMSC 1um5V/40VHVCMOS is be used to structure the error amplifier and overvoltage protection circuit, and simulate the result in the Cadence software. Key words：Enable?protection; Schmidt trigger ; C simulation; 本文涉及研究的DC-DC降压芯片由保护电路、第一级LDO（3.6V）模拟供电电路、二阶温度补偿基准电路，LDO(5V)数字供电电路，误差放大器、振荡器、高端功率管电流采样放大器、PWM比较器、PWM逻辑电路、驱动电路、低端功率管过零电流比较电路这些电路单元构成。本论文主要对芯片的使能保护电路模块的设计进行介绍。 1 使能保护电路 使能模块输入使能控制信号，控制内部各个模块工作。本设计中使能控制有两个比较判据，一个是1.5V比较点，另一个是2.5V比较。电路系统启动，使能端的电位渐渐上升。当VEN小于1.5V，整个芯片关断。当VEN超过1.5V但小于2.5V时，使能逻辑先使LDO(3.6V)工作，接着第二级（带二阶温度补偿）基准电路工作，输出1.2V的基准参考电位。1.2V参考电位输入LDO(5V)使之工作。所有单位的电源供电都正常，除了误差放大器输出COMP脚电位和SS软启动脚电位被拉到低电位。当使能VEN大于2.5V后误差放大器输出COMP脚电位和SS软启动脚电位释放，整个芯片正常工作。 2 1.5V比较点的使能逻辑电路 1.5V比较点的使能逻辑电路如图1所示。设VIN=12V，施密特触发器（如图2）I109在J351提供的7V夹断电压下工作。当使能EN电压从0V上升，到1.5V时，施密特触发器I109翻转为高电位，迟滞量为210mV。 施密特触发器I109输出为高电平，EN2 也为高电平,去开启3.6V和5V的LDO。5V的LDO给电平转换电路供电，EN1输出为高电平。EN1经过反相器X23输出L3低电平到RS_NOR触发器，锁定RS_NOR触发器,稳定EN2。 这里X23输出电平摆率为0~5V，而RS_NOR触发器的X70供电为7V，这会导致X23去驱动X70发生驱动电平不匹配。当芯片正常工作状态时，使能Ven肯定是高电平，X23输出为低电平，不会出现X70(nor)上下管都导通状态。而在EN电位下降到1.3V以下，X70内部出现上下MOS管都导通的状态。如果X23输出高电平对于X70来说还是低电平，那么整个芯片就不会正常关断。设计上必需确保X23输出高电平对X70来说也是高电平。 图1 1.5V比较点的使能逻辑电路 该问题的解决方法是使电平转换电路和反相器X23都给7V供电。 图2 施密特触发器 施密特触发器电路分析：A点高电位时，输出Z也为高电位，PM1截止。第一级反相器由PM0和MN0组合，其宽长比决定翻转电压VTF。当A点低电位时，输出Z为低电位，PM1导通。第一级反相器由PM0、PM1和NM0组成，其宽长比决定翻转电压VTR，且VTRVTF。施密特触发器在翻转过程瞬间需要消耗较大的电流。翻转点的计算公式如下： 上管PMOS流出的电流 下管NMOS流出的电流 当时，反相器输出高电平，当时，反相器输出低电平。当时，定义这时的输入电压为反相器的翻转电压。 输入电压 则 反相器翻转电压， 当上管PMOS的W/L增加，KP增大，分母变小，VA增大。当下管NMOS的W/L增加，KN增大，分母增大，VA减小。 2.5V比较点的使能逻辑