GaN基蓝紫光激光器制备的理论与关键技术的研究.pdf

摘 要 宽禁带Ⅲ一V族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、 高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大的市场需求，是近年来光电子 材料领域研究的热门课题。特别是发光波段在400～410I】m的GaN基蓝紫光激光器是高 密度光存储系统中最有希望的光源，因此制作蓝紫光短波长的激光器一直是人们研究的 焦点，但GaN基激光器材料的生长和器件的制备方面还存在一些困难，特别是GaN基 材料的P型掺杂、厚且无裂的砧GaN材料生长、高质量的P型GaN欧姆接触等。 本文针对以上一些问题并结合GaN基激光器的研制工作开展了一系列的相关的研 究，比如：一维光场模拟、相关材料的生长和低P型欧姆接触的研究。主要包括以下内 容： 1)采用传输矩阵的方法对GaN基激光器的光场分布进行一维理论模拟，并分析了 各层材料及结构对GaN基激光器光场分布的影响。模拟发现：当增加N型限制层 砧xGal朋a_NSLS的厚度和趾组分，或者在N型限制层较薄的情况下适当增加波导层厚 度时，都能抑制反波导行为；而在保证质量的情况下，N型接触层的厚度则是越薄越好。 SLS结构时，对光 值得一提的是，研究中首次发现，当波导层采用hlGaN或h1GaN／GaN 的限制能力将会明显提高，相应地阈值电流密度会降低。以获得大的光场限制因子和低 的阈值电流密度为目标，优化出了各层材料参数：分别取N和P型接触层GaN的厚度为 2000nm和200nnl情况下，N型限制层A1xGal．xN／GaN SLS 厚度300mn(60对超晶格)，砧组分为0．22。 2)研究了TMAl的流量和生长温度对AlGaN材料的的影响，重点研究如何获得厚且无 层材料。 a_N 3)理论分析IIlGaN／GMQw有源区发射波长与阱和垒的组分、厚度关系，发现 通过适当组合阱和垒的In组分与厚度，可以调整发射波长。并通过生长LED结构来优化 有源区，改变有源区阱的生长温度，发现其温度变化与发射波长呈线性关系，由此可以 通过调节阱温，获得特定发射波长，并且还讨论了变温生长对hlGaN／GaNMQW光学特 性的影响。 4)研究了获得p．GaN欧姆接触的低接触电阻方法。 ①对p．GaN表面预处理方法和合金化的时间、温度、氛围进行了优化。 ②在对该工艺优化的基础上，对比分析了两种不同材料的欧姆接触，即体材料 沉积一层p．h1GaN／GaN超晶格薄层材料能够有效降低欧姆接触电阻，并在优化接触工艺 Q唧2。 为550℃、氧气氛围下合金30分钟的条件下，获得较低的比接触电阻率1．99×10．4 ③对p．hlG删p．GaN超晶格薄层形成低阻欧姆接触的原因进行了理论分析，首次研 究了超晶格薄层中p．GaN层温度变化对欧姆接触的影响，以及超晶格层生长过程中以 有利于欧姆接触的形成，而值得注意的是，以p．hlGaN作为终止层可以获得更低的欧姆 接触，针对此结果，文中进行了较为深入的分析。 晶格层做p．GaN的顶层，并获得更低的欧姆接触电阻，其比接触电阻率为：7．27×10巧 Q．cm2。并从能带和空穴电荷密度两个方面分析接触电阻降低的原因。最后把应变补偿 效应的超晶格材料应用在发光二极管(LED)上，相对常规LED而言，获得较低的工作 电压。 关键词：GaN基蓝紫光激光器； a：N／p-A1GaN超晶格；应变补偿；应变极化效应；P型欧姆接触。 p—InG II ofthe 1．abrication 】fksearchtheol了andkeytechnologyfbr OftheGaNIbasebulevioletlaserdiodes Abstract GaNbasedⅢ-V wideb姐d semic