砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能.pdfVIP

第31卷第5期 红外与毫米波学报 V01．31．No．5 2012年10月 Millim．Waves October，2012 J．Infrared 文章编号：1001—9014(2012)05—0403—04 砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能 李海滨1”， 林 春1， 陈兴国1， 魏彦峰1， 徐竟杰1’2， 何 力1 (1．中国科学院上海技术物理所红外成像材料与器件重点实验室，上海200083； 2．中国科学院研究生院，北京100039) X1的长波红外光电二极管阵列． 摘要：采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12．5斗m，规格为256 实验设计了一种新的pn结测量方法，测量发现砷掺长波