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八英寸直拉单晶棒氧和碳的检测 一、采样及样品处理： 1、采样：　 　　硅单晶测氧取头部、测碳取尾部,多晶及外单位送样不限部位。样品厚度2.3±0.2mm,大直径单晶硅片剖小时,必须是硅片的中心部位,多晶硅片应尽量保留硅芯部位。　 2.样品处理： （1）研磨: 　　用W20金刚砂研磨,去掉刀痕,并调整平整度,样品测量部位的厚度差≤0.01mm。 　（2）.抛光: 　　将研磨好的样品清洗干净,放入耐腐蚀塑料容器中,倒入事先配制好的抛光液并不断晃动塑料容器。待样品抛光至镜面后用水清洗干净。要求抛光面无划道、无浅坑、无氧化、无沟道等。抛光必须要在通风橱中进行操作,抛光后样品厚度2.0±0.2mm。 抛光液配比: HF:HNO3=1:(3～5) (体积比)  二、检测依据及设备 1、检测依据： 2、检测设备： （1）、实验原理：当一束红外光照射分子时，分子中某个振动频率与红外光的某一频率的光相同时(ν振=ν红外光)，分子就吸收此频率的光发生振动能级的跃迁，产生红外吸收光谱。 在硅材料中，非线性的“Si—O—Si”这样的“分子”模型吸收红外光的能量后，围绕平衡位置振动。 检测工艺： 工作原理： 三、检测作业指导书 1、样品加工：取样、研磨、抛光 2、仪器操作步骤： （1）、开机预热30分钟。 （2）、选择测试温度，300K(26.5℃)或77K(-196.15℃)。 （3）、插入空样品架，以空气作为背景，点击采集背景按钮。 （4）、采集背景结束后，插入参比样品，输入参比样品厚度(cm)，点击采集参比样品按钮。 （5）、参比样品采集结束后，插入测试样品，输入测试样品厚度(cm)，点击采集测试样品。 （6）、测试样品采集结束后，碳氧含量的结果会自动显示，用户输入打印信息，点击打印报告按钮即可。 3、仪器应定期检查并作好记录 四、检测影响因素 五、检测数据分析： 六、检测报告书 * 采样及样品处理 检测依据及设备 检测作业指导书 检测影响因素 检测报告书 检测数据分析 红外吸收光谱仪主要部件有：光源、样品池、单色器、检测器、放大记录系统 检测影响因素 半峰宽对测量的影响 载流子吸收的影响 样品表面情况的影响 光照面积的影响 晶格吸收的影响 表面薄膜的影响 多次反射修正的影响 测试温度的影响 生产单位 乐山嘉源有限公司 样品数量 10片 检验报告 检验结论 符合合同要求 主检人员：徐航、陈莉 质检机构（公章） 审核人员：赵仕海、何霞 批准人员： 签发日期：2013年11月25日 检测项目 直拉单晶棒氧和碳的检测 测试样品型号 直径：50mm 厚度：2mm单晶片 委托单位及地址 乐山职业技术学院 参比样品型号 直径：50mm 厚度：2.01mm单晶片 乐山市市中区肖坝路108号 抽样基数 单晶棒头中尾各三片 检验依据 国标GB/T 6618-1995 抽/送样日期 2013-11-19 检验状态 符合检验要求 检验日期 2013-11-19 检验类别 委托检验 检验结果 [O]=2.45×1017αmax （原子/厘米3）; [C]=1.0×1017αmax （原子/厘米3）