稀磁半导体和自旋电子学.pptVIP

* 现代磁学发展史的简要回顾 经典磁学理论： 1894年 居里确定了顺磁磁化率与温度成反比的实验定律（居里定律） 1905年朗之万将经典统计学应用到原子磁矩系统上，推 导出居里定律 1907年外斯（Weiss）假设分子场，解释了自发磁化。 现代磁学理论： 1924年乌伦贝克和古德施密特发现电子自旋-量子力学效应 1926年海森堡揭示了分子场的微观机制-交换作用 斯托纳、斯莱特和莫特提出巡游电子模型--过渡金属的非整数磁矩 软磁材料： 在工业化潮流的推动下，上个世纪早期低矫顽力的软磁 材料迅速发展，相继出现了硅钢、坡莫合金等软磁材料。 在无线电技术需求的推动下，40年代又发展了适用于射频 的磁粉介质、铁氧体材料，特别是后者，为电子技术带来 了翻天覆地的变革。 永磁材料： 金属永磁体，碳钢、钨钢及钴钢等。 铁氧体 稀土永磁材料 在基本磁学问题研究取得不断进展的同时，磁性材料的应用也得到了快速发展。 永磁材料在微波通讯、音像和数字纪录、信息技术以及工业、国防和日程生活等各领域的应用极为广泛。 现代磁学向新磁学的过渡 经过近一个世纪的探索，对传统磁性基本问题的认识 逐渐趋于成熟 尽管还存在一些有待于进一步澄清的问题，整体来讲基本磁学理论已经建立，对磁相关现象的认识不断深化，从表面到本质、从宏观到微观，解释也逐渐趋于完善。 对非强电子关联磁系统，已经可以从理论上准确预言体系的基态磁结构、磁化强度、电子自旋极化率。 有关传统固体软磁和硬磁性的研究，已逐渐成为材料科学问题，而较少在凝聚态物理领域讨论了，磁学研究的重心逐渐从传统磁学转向以自旋电子学为标志的新磁学研究。 自旋电子学是基于操纵和控制自旋的电子学，它或将自旋(或磁性)作为信息的载体，通过电流或电压进行操控;或将自旋或磁场作为操控电荷或电流信息的手段。操纵电子自旋是指控制自旋的布居，或操控载流子集合的自旋取向，或对单个电子或少数电子自旋进行相干操控。自旋电子学可同时利用电子的自旋和电荷的性质，以实现电子学的功能或量子计算。自旋电子学的研究对象包括电子的自旋极化、自旋相关散射、自旋弛豫以及与此相关的性质及其应 用等。 目前超大规模集成电路上元件的密度已达 ，器件尺寸已接近目前公认最小尺度 20 nm，要想突破这个尺寸限制，就必须利用电子的自旋,把自旋作为信息储 存、处理、输运的主体。 按照美国加州大学Awschalom教授的观点，自旋电子学器件 可分为三个层次： 基于铁磁性金属的器件； 自旋注入半导体器件； 单电子自旋器件。 目前进人应用的器件(如 GMR 自旋阀)还只处于第一层次，对于自旋控制和自旋极化输运的了解处于较为肤浅的阶段，对各种新现象、新效应的理解基本上只是半经典的和唯象的。因此，自旋电子学的发展还面临很多更大的挑战，当然，机 遇与挑战是并存的。 自旋电子学器件的三个层次 一、基于铁磁金属的自旋电子器件 巨磁电阻(GMR)效应 铁磁金属与合金的饱和磁致电阻值很小，只有约1%一5%。1988年，Fe/Cr金属多层膜在外磁场中电阻变化率高达50%的巨磁电阻效应(GMR)被发现，各国科学家开始从理论和实验上对多层膜GMR效应展开了广泛而深人的研究。GMR产生机制取决于非铁磁层两边的铁磁层中电子的磁化(磁矩)方向，用于隔离铁磁层的非铁磁层，只有几个纳米厚，甚至不到一个纳米。当这个隔离层的厚度是一定的数值时， 铁磁层的磁矩自发地呈现反平行，而加到材料的外磁场足够大时，铁磁材料磁矩的方向变为相互平行。电子通过与电子平均自由程相当厚度的纳米铁磁薄膜时，自旋磁矩的取向与薄膜磁化方向一致的电子较易通过，自旋磁矩的取向与薄膜磁化方向不一致的电子难以通过。因此，当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大，从而 使磁电阻发生很大变化。 自旋阀(Spin-valve，SV) 对于反铁磁藕合的多层膜, 需要很高的外磁场才能观察到GMR效应，故并不适用于器件应用。在GMR效应基础上，人们设计出了自旋阀，使相邻铁磁层的磁矩不存在(或只存在很小的)交换耦合。自旋阀的核心结构是两边为铁磁层，中间为较厚的非铁磁层构成的GMR多层膜。其中，一边的铁磁层矫顽力大，磁矩固定不变，称为被钉扎层；而另外一层铁磁层的磁矩对小的外加磁场即可响应，为自由层。由于被钉扎层的磁矩与自由层的磁矩之间的夹角发生变化导致GMR的电阻值改变。如此，在较低的外磁场下相邻铁磁层磁矩能够在平行与反平行排列之间变换，从而引起磁电阻的变化。自旋阀结构的出现使得巨磁电阻效应的应 用很快变为现实。 这种非耦合型自旋阀的优点有（1）磁电阻变化率对外磁场的响应呈线性关系，频率特性好；(2)饱和场低，灵敏度高。虽然自旋阀结构的