数字逻辑电路测试与设计 第2版 教学课件 李玲 第2章 集成门电路.pdfVIP

第2章  集成门电路 电子信息学院   电子技术教研室 目录 一、知识补充 二、TTL集成门电路 三、CMOS集成门电路  四、TTL 门电路与CMOS 门电路接口 一、知识补充 三极管的开关作用及其条件 三极管的动态开关特性 一、三极管的开关作用及其条件 iC 临界饱和线 S 为放大和饱和的交界点，这时的 u 增大使 i 增大， I B 放大区 iB 称临界饱和基极电流，用 IB(sat) 表M T 从而工作点上移， iC 增 示；相应地，IC(sat) 为临界饱和集电极 S 大，uCE 减小。 IC(sat) IB(sat) 电流； UBE(sat) 为饱和基极电压；饱 Q UCE(sat) 为饱和集电极电压。对硅管， 和 截止区 UBE(sat)  0.7V ， UCE(sat)  0.3V 。在临界 A 区 饱和点三极管仍然具有放大作用。 O UCE(sat) N uCE B C 三极管 uBE Uth 截止状态 uI 增大使 uBE Uth 等效电路 时，三极管开始导通，iB E 0 ，三极管工作于放大 导通状态。 一、三极管的开关作用及其条件 iC 临界饱和线 放大区 M T S IC(sat) IB(sat) + 饱 Q uI UIH uBE- 和 截止区 区 A O UCE(sat) N uCE B C 三极管 三极管开通的条件和等效电路 uBE Uth 截止状态 　　当输入 uI 为高电平，使