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中文摘要 ’
中文摘要
本文采用密度泛函平面波赝势方法对六方相碳化钨(wC)吸附于石墨烯表面、
铂吸附于石墨烯表面、铂吸附于碳化钨表面共三个体系进行了理论研究,揭示了
复合体的电子结构性质和构型,并利用电子结构数据和结合能等性质数据确定出
它们的吸附特征及吸附稳定性。结果表明,在单层石墨烯的吸附体系中,
构型中石墨烯与碳化钨的碳端之间是范德华力作用,说明在与石墨烯结合时,钨
端吸附在石墨烯上的构型更加稳定。对于碳化钨吸附在多层石墨烯上的体系,石
墨烯和碳化钨钨端结合的复合体的界面之间有成键相互作用,而在碳化钨碳端原
子吸附的石墨烯体系的界面间只是范德华作用。此外,在W端吸附于多层石墨烯
的结构中,次外层石墨烯对吸附有一定的贡献,使得碳化钨与石墨烯的整体结合
更加有利。对于铂吸附于碳化钨的体系,/up.PVWC构型中界面的相互作用主要发
生在石墨烯与碳化钨相邻界面之间,fec.Pt/CW构型中界面的相互作用主要是铂层
与碳化钨整体之间。计算结果表明碳化钨更容易与铂结合。
本文也研究了石墨烯与碳化钨复合体的电子输运性质,选取了CW/graphene
作为中间散射区、构建了以镍为电极的复合体。结果表明,在零偏压下自旋向上
的构型有利于电子的输运。在一定的偏压范围内所得到的i-V曲线表明自旋对电流
电压曲线的影响较小。
关键词:碳化钨;石墨烯;铂;密度泛函理论;格林函数;电子输运
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黑一流…文
Abstract
structures oftheWC-absorbed
Theelectronic and graphene,
configurations
carbide were
graphene,andplatinum-adsorbedtungsten systems
platinum-adsorbed
the functional
by density
systematicallyinvestigated
characteristicsandstabilitieswere
method.Also,their
pseudopotentials adsorption
evaluatedtheobtainedelectronic and calculated
by propertiesbindingenergies.The
thatinWC-absorbed the interactioncanbe
resultsindicated bonding
graphenesystems
the
notedfortheinterfaceof W-terminated
CW/graphene
results
WaalsinteractionfortheC-terminated structure.This
theVander WC/graphene
showan W-terminated
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