PCl_%2c3_%2fH_%2c2_外延生长N型硅反应机理的理论的研究.pdf

PCI3／H2外延生长N型硅反应机理的理论研究 PC I。／H2外延生长N型硅反应机理的理论研究 研究生：王艳丽 指导教师：孙仁安 学科专业：物理化学 摘要 本论文采用Gaussian98程序，密度泛函B3LYP／6—3llG料方法，首次在理 论上对以PCI。为磷源，在常压氢气氛下外延生长N型硅的整个过程的微观反 应机理进行了理论研究。计算得到了各反应通道中的反应物、过渡态和产物 的构型，给出了每个反应通道的反应活化能。对所有过渡态的虚频振动模式 进行了分析，并进一步作IRC(内禀反应坐标)路径分析，来最终确认我们所 找的过渡态是准确的，并通过各步反应的能量关系来确认主反应通道。 本文分别研究了PCI。／H。在气相中和在硅衬底表面上的微观反应机理，以 期为半导体N型掺杂技术提供必要的理论依据。 PCI。／H。在气相中的反应是一个多步骤多通道的反应，在气相初始反应中 H2、PCI 中，存在五条反应通道，得到的主要产物为PCIH。、PCI、和Hcl。PCI 进一步和H。反应，存在六条反应通道，得到的主要产物为PH。、PH和Pcl。P％、 上PCI；首先发生解离吸附，活化能较小，反应易于发生。然后吸附产物与H。 经四步骤多通道的反应，最后吸附产物中的cl原子与H。中的一个H原子结合 成HCl而脱附，而H。分子中的另一个H原予单独析出，得到了PSi。原子簇。 PCI。吸附后的产物与H。反应的前三步活化能比气相反应中所需的活化能 低，而最后得到PSi。原子簇那步的活化能比气相主反应通道的活化能都要高， 反应很难进行。因此，就目前所作的工作而言认为，PCI。／H：外延生长N型硅 主要是气相中得到的磷沉积到硅表面从而完成晶体掺杂。 关键词PCI。：N型掺杂；反应通道；理论研究 PCI3／H2外延生长N型硅反应机理的理论研究 Abstract Inthis mechanismsofthereactionabout paper,the N—typedopingpolysilicon whichtake a．5 sourcewere forthefirst PCI3／I-12phosphor investigatedtheoretically all withGaussian98atB3LYP／6—311G++level．Theof time program geometries statesand havebeen active reactants，transition optimized．Theenergy productions was the vibrationmodeof ofeachreactionchannel imaginary calculated．Analysis all inordertotestthetransition reaction transitionstates states．IRC(intrinsic o