ZnOV3+晶体光谱和电子顺磁共振谱的理论研究.pdfVIP

光谱学与光谱分析 V。L27，Nm9，ppl689—1691 and 帮；掌髫膂 Spectros∞pySpectralAIIalysis seDtdT蛔，z007 ZnO：V3+晶体光谱和电子顺磁共振谱的理论研究 冯文林“3，吴晓轩2’3’4，郑文琛“4 L重庆工学院数理学院应用物理系，重庆400。50 2．中国民航飞行学院物理教研室，四川广祝618307 3．四川大学材科科学系，四川成都610064 |L中国科学院国际材料物理中心，辽宁沈陌1lool6 摘要采用强场耦合图像，建立了3扩电子组态在三角对称中的45×45能量矩阵，通过对角化完全能量 矩阵的方法，计算出了zⅡo，驴+晶体的45条光谱能级和5个电子顺磁共振谱参量(零场分裂D，g因子 g∥，量上和超精细结构常数A∥．Ai)，计算结果与实验数值能很好地符合。计算中还发现V+杂质中心的局 部结构与基质晶体的结构不一致，即v件在矗Io中并不占据准确的zrr位置，而是沿岛轴方向位移一段距 离6弘加．003nm。作者对上述这些结果的合理性进行了讨论。 加lV” 关键词光谱I电子顺磁共振谱}晶体场理论， 中圈分类号：0433；O畦82文献标识码：A 文章编号：1000_059312007JO争1689_03 属(3才)离子在三角对称晶位。其能量啥密顿量可表达为 引言 H=fIh(B，o十H口(D．，Dr。n)+ H舯(静+Hn(口) (1) 五日是一种重要的新一代宽禁带半导体，其室温禁带宽 此处Hk是自由的3才离子的啥密顿量(其中B和c为拉卡 度E≈3．37ev．它是制作紫外光电子器件的理想材料[“目。 参量)，如是晶场势(日和D。为三角场参量)，H鄹为旋—轨 由于它在常温下存在紫外受激发射，也是可望实现固体紫外 耦合相互作用(￡为3才离子旋一轨耦合参量)，H1j为TI钟s 及蓝光激光器的重要材料[““．过渡及稀土金属离子进入 修正。利用强扬图像[10]。可推出3d2电子组态的三角强场基 Zd0后会极大地影响其电、磁和光学性质，因此，古过渡和 函数，进而求得上述哈密顿量H的45×45完全能量矩阵。 稀土离子杂质的znO的光谱和电子顺磁共振(EPR)谱的研对角化这个完全能量矩阵，就可以计算光谱能级。 究就受到人们极大关注[哪。、，{+离子在矗10中的光谱啷和 从微观的晶体场理论和唯象的自旋哈密顿理论的等效 性口“，可以求得3孑离子在三角对称中的自旋哈密顿参量的 EPR谱03已被测量，但对由此获得的光谱能级和髓R(或自 旋哈密顿)参量(零场分裂，g因子窖∥．g上和超精细结构常表达式为： 数A∥，A】)。至今还缺乏统一的结合到杂质结构的理论研 D一点Xl矿3A2士1电)’)一E(I，强20印’)， 究。本文拟采用对角化3扩离子在三角对称中完全能量矩阵 g矽=(，Iklo『4L。+毋s。I矿}屯1晚)’， 的方法，对zn0·驴+晶体的光谱和髓R谱进行=理论研究。 gh=√2，0屯。比I缸。+函s；I矿}％1如7， 鉴于光谱的低对称分裂和EPR参量对顺磁杂质中心的缺陷 A口=P妇Ⅳ一昏一0， 结构很敏感，上述研究还可获得驴+杂质中心在znO中的缺 』h=P’(虬一蜀一D (2) 陷结构。我们并对研究结果进行了讨论。