ZnO∶Nb透明导电薄膜的制备及光电特性研究.pdfVIP

助 缎 _蚪 斟 ZnO：Nb透明导电薄膜的制备及光电特性研究+ 周爱萍，刘汉法，臧永丽 (山东理工大学理学院，山东淄博255049) 摘 要： 采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上沉积铌 射仪制备。溅射所用陶瓷靶直径为75mm，将纯度 掺杂氧化锌(NZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)以及透射光谱等测试研究了 制而成的，其质量分数分别为98％和2％。在薄膜制 溅射功率对薄膜结构、形貌以及光电性能的影响。实 备过程中，靶与衬底之间的距离为60mm，溅射时问为 验结果表明NZO薄膜是多晶膜，具有ZnO的六角纤 锌矿结构，最佳取向为(002)方向。溅射功率从40w 增加到80W时，薄膜的电阻率迅速下降；功率超过 功率下制备了ZnO：Nb薄膜。在溅射之前，玻璃衬 80w时，电阻率趋于平稳。在溅射功率为100W时， 底依次用无水乙醇擦拭、丙酮溶液超声清洗10min、无 电阻率具有最小值5．89×10-4Q·cm，光学带隙具有 水乙醇浸泡30min，超纯水中反复冲洗，干燥后放入溅 最大值3．395eV。实验制备的NZO薄膜附着性能良 射室。 好，在可见光范围内的平均透过率均超过86．6％。 实验中，用SGC一10型薄膜测厚仪测量薄膜厚度 关键词： ZnO：Nb薄膜；溅射功率；透明导电薄膜；z，用SDY一4型四探针测试仪测量样品的方块电阻R， 磁控溅射 中图分类号：0484．4 文献标识码：A 公司生产的D8 文章编号：1001-9731(2013)07—1012—03 1 引 言 进行测量。样品的表面形貌用FEI 发射扫描电子显微镜观察。采用TU一1901型双光束 透明导电氧化物(TCO)薄膜因其优良的光电性 紫外一可见分光光度计测量薄膜样品的光学透过率。 能而被广泛应用在各种光电器件中，如平面液晶显示 器和太阳能电池等[1’2]。如今最重要的透明导电氧化 3结果与讨论 物材料是Sn掺杂In：O。(ITO)，并且高质量的ITO薄 图1为在不同溅射功率下制备的ZnO：Nb薄膜 膜通过溅射超高致密的陶瓷靶材已经获得产业化。随 X射线衍射图谱。 着1TO薄膜用量的不断增加，In资源不断减少，ITO 薄膜的成本就会不断上升，而ZnO基透明导电膜则可 能成为ITO薄膜的替代产品[3]。ZnO是Ⅱ一Ⅳ族直接 带隙半导体材料，室温下的禁带宽度约为3．37eV。作 为一种本征的n型半导体材料，ZnO通过施主掺杂， 如A1、Ga、Si、Zr、Ti和Y等H’9]，便可以获得较高的电 子浓度，而在可见光区域仍能保持较高的透射率。 近来，Lin和Shao等利用激光脉冲沉积(PLD)方 法成功制备了铌掺杂氧化锌(NZO)薄膜，并讨论了温 图1 0’11]。而在ZnO基 度以及掺杂比对薄膜性能的影响[1 薄膜的众多制备方法中，溅射法因薄膜结构致密、均 图谱 1 XRD ofZnO：Nbthinfilms 匀且适于大面积制备等优点，而被广泛应用[1乳”]。尝 Fig patterns prepared atdifferent 试利用直流磁控溅射工艺在未加