Si-%2cn-X（n%3d4，5）和Si-%2c5-m-X-%2cm-（m%3d1，2，3，4）原子簇结构和稳定性的理论的研究.pdf

si．x(n=4，5)与si细x。(m=l，2，3，4)睬子簇结构与稳定性的理论研究 与稳定性的理论研究 研究生： 张 宏 指导教师 孙仁安教授 学科专业 物理化学 中文摘要： 法，在考虑极化函数的6-3llG·基组水平上。首先对纯的s0(n=2_6)原子簇的几何构 型进行了优化及频率计算。在此基础上，分别用第二周期和第三周期原子来取代sb和 Si6原子簇中的si原子或添加在si4和Si5原子簇上，得到si4x和si5x原子簇的稳定构型。 并对它们的热力学稳定性、动力学活性，以及键长、Mulliken电荷和重叠布居的变化规 律等进行了系统的讨论。通过两种生成方式的吉布颠自由能变化△G的计算，可知添加 比取代更为容易。从而在理论上预言了实际获得这些含杂原子簇的途径。从各种性质分 析可知，总体上都有较好的周期变化规律，含杂愿子簇基本上按加入杂原子同一周期从 左到右的顺序．稳定性依次增强。而且掺杂非金属的原子簇化学热力学性质比掺杂金属 的原子簇稳定，与Si原子结构越相近的原子越易掺杂．得到的含杂原子簇化学热力学稳 定性越好．最后．我们分别用一个至四个B、c、N、P原子来取代si。原子簇中的si原 子，得到S“X、si3x2、Si2玛和Six4(X=B，c，N，P)原予簇的稳定构型。通过能量 分析可知，sb原子簇中的si原子易被B、c、N和P原子取代。以上工作目的是从理论 上预言含杂硅原子簇的几何构型和随杂原子加入的周期性递变规律，进而为掺杂半导体 硅材料的深入探索，提供理论依据。 关键词硅原子簇几何构型理论研究密度泛函理论 iv si。x(n=4，5)与si5．。x。(m=l，2，3，4)孤子簇结构与稳定性的理论研究 第一章前言 1．1si原予簇结构理论研究的重要意义 半导体材料与技术是推动信息时代前进的原动力和发动机，是现代高科技的核心与 先导。半个多世纪的实践表明IT产业的每一次重大发展都是从半导体材料与技术的进步 和革命性突破开始。 元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造 的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件。而且材料工艺简 单，可加工性强，器件制造工艺稳定，有一套完整的材料制备、加工和器件制造方法，而 且成本低、基片直径大(150～200m)、集成度高(已达M级)。因此，硅已成为应用最多 的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的…。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半 导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺 入少量杂质可以控制这类材料的电导率。所以有施主型杂质的5价元素(As、P、sb)加 入硅中形成N型半导体．有受主型杂质的三价元素(B、A1、Ga)加入硅中形成P型半导 体(空穴型半导体)。因此．硅作为一种重要的半导体材料，其所形成的原子簇以及掺杂 其它原子的掺杂原子簇引起了科学家们的极大兴趣，在理论及实验上都有大量研究报道。 原子簇化学是上世纪50年代发展起来的化学中极其活跃的新兴研究领域， 是无机 化学、物理化学、结构化学和金属化学相互交叉衍生的一门边缘学科”1。原子簇所具有的 特殊催化性质、生物活性和超导性质都是其它类型化台物所雉以比拟的，具有广阔的应 用前景。原予簇研究是凝聚态物理中一个热门课题，早期的大部分：I=作聚焦于金属原子 簇，但是随着原子簇研究的不断深入，特别是80年代末期以后对于小的硅原子簇的实验 1 si‘．)((n叫，5)与sis．。x。(m=l，2，3，4】原子簇结构与稳定性的理论研究 研究的不断发展，硅原子簇的理论研究显得越来越重要。在前人T作的基础上，本文对 于掺杂第二和第三周期元素的Si4x和si5x原子簇的结构和热力学稳定性，以及键长、M ulliken电荷和重叠布居的变化规律等，进行了系统的讨论。以期从理论上预言含杂硅原 子簇的几何构型和随杂原子加入