KDP晶体生长工艺研究.pdfVIP

第 33卷 第 3期 昆 明 理 工 大 学 学 报 ( 理 工 版 ) Vol. 33　No3 2008年 6 月 　 　Journal of Kunm ing U n iversity of Science and Techno logy ( Science and Techno logy) 　 Jun. 2008 KD P 晶体生长工艺研究 于 　杰 ,余 　娜 ,王杜娟 ,卢雯婷 (昆明理工大学 材料与冶金工程学院 ,云南 昆明 650093) 摘要 : 利用水溶法生长了 KD P单晶体 ,系统论述了晶体生长装置和工艺各个过程. 指出生长均 匀 、无缺陷 KD P单晶体工艺过程中的注意的事项. 实验表明晶体生长过程中溶液的纯度不高 ,会 造成籽晶以外的溶液体系其他部位大量成核 ; pH 值过高 ,生长的晶体会出现楔化现象 ,过低则影 响生长速率 ,实验测得 pH 值为 2. 2; 50 ℃的晶体退火温度能有效消除晶体内部的热应力 ,提高 晶体的光学均匀性. 同时籽晶的切向、温度控制的准确性等因素有效避免晶体生长过程中出现的 生长层 、晶面花纹等缺陷. 关键词 : KD P 晶体 ; 晶体生长 ;籽晶;非线性光学晶体 中图分类号 : TQ 17 文献标识码 : A 文章编号 : 1007 - 855X (2008) 03 - 0020 - 04 R e search on Procedu re of KD P Crystal Grow th YU J ie, YU N a,WAN G D ujuan , LU W enting ( Facu lty of M aterials and M etallu rgical Engineering, Kunm ing U n iversity of Science and Techno logy, Kunm ing 650093, Ch ina) A b stract: W ater d isso lu tion m ethod is adop ted to grow single crystal KD P. Th rough the d iscu ssion of the e qu ipm en t and every techn ica l p roce ss, the cau se s for the defic iencie s are analyzed. It is shown th rough the re su lts that 1. The p u rity of so lu tion influence s the p roce ss of crysta l grow th , low p u rity re su lting in nuc leation of troub led - w ater ou t of the seed. 2. Su ited pH is another importan t factor in crysta l grow th , h igher pH induc ing tap er form ation , and low er pH influencing rate of crystal grow th. The value in the exp erim en t is 2 2. 3. App rop riate annea ling temp eratu re ( 50 ℃ in the exp erim en t) can elim inate heat stre ss a s w ell a s imp rove op tical un iform ity of KD P crysta l. The accu rate temp eratu re can avo id the deficiency of grow th layer and crysta l stri