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维普资讯 计 算 物 理 第 23卷 第 1期 CHINESEJOURNALOFCOMPUTATIONALPHYSICS V01．23．No．1 2006年 1月 Jan．，2OO6 [文章编号] 1001-246X(2006101-0080-07 SiC电子霍耳迁移率的计算 王 平 ， 杨银堂， 杨 燕 (西安电子科技大学微 电子所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西 西安 710071) [摘 要] 基于对 自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法 ，采用三椭球等能面、抛物线性简化 ，建 立了适于模拟 n型6H．SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型，精确描述了不同散射机制对于 6H—SiC低 场 电子输运特性的影响．计算结果与实测值有很好的一致性 ． [关键词] 6H碳化硅；电子霍耳迁移率 ；霍耳散射因子；解析模型 [中图分类号】 TN304．2 [文献标识码] A 0 引言 作为一种新型宽带隙半导体材料，碳化硅 (SiC)以其优 良的物理化学特性和电学特性在高温大功率器件 制造领域极具潜力 “]．6H—SiC作为其最主要的同质多型体之一，由于其单晶生长工艺的成熟性以及较好的可 重复性，受到了广泛的关注 “]．以其制成MOSFET(金属一氧化物一半导体场效应晶体管)和 CMOS集成电路均 表现出了良好的性能，可以在 300~C下稳定工作 ．然而，要想最大发挥 6H—SiC的应用优势，理论和实践上都 还有许多工作要做 ．其 中很重要 的一点就在于必须对与其基础材料特性密切相关 的电子输运特性进行深入 的研究．一方面有助于进一步了解材料内部载流子输运的机理，另一方面可以获得更为准确的材料参数，为 设计、制造 6H—SiC器件和电路提供必要的条件 ．目前，有一些这方面研究的报道，但大多基于蒙特卡罗模 拟 ’，未包含外加磁场的影响，因而得到的是电子漂移迁移率 ．而霍耳迁移率是从霍耳效应测量得到的，通 常是 由实验确定的，直接将蒙卡计算值同其进行 比较可能会有偏差．因此，必须在考虑外加磁场作用的前提 下，准确求解电子霍耳迁移率 ． 本文在对 6H—SiC能带结构进行分析的基础上 ，采用各 向同性弛豫时间近似法 ，考虑到影响其载流子输 运的五种散射机制，导出了当 lIc且-，_lIc( 为外加磁场 ，c为6H—SiC生长轴方向，-，为电流密度)时 ， 电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型．并在此基础上，根据准中性条件，考虑 了两种氮施主杂质能级 的影响，首先计算了6H—SiC中自由电子浓度和杂质离化率 同温度的关系．其次，对不同掺杂条件下各种散射 机制对 6H—SiC电子霍耳迁移率 以及霍耳散射因子随温度变化的影响进行了计算 ．最后，给出了不同补偿条 件下电子霍耳迁移率随施主浓度的变化，并指出造成理论值和测量值偏差的主要原因，而后根据不同样品质 量提出了修正方法 ． 1 模型的建立 1．1 能带模型 根据最新能带结构计算以及实验结果 ，本文假定在 6H—SiC第一布里渊区以 点为中心，有 6个半椭 球形等能面 (3个椭球形等能面)．此外 ，由于霍耳效应属于典型的低场输运效应 ，而且主要考虑 的是导带底 中的电子，因此笔者作了抛物线性近似 ，沿 r，M-K， (椭球等能面的3个主轴)方 向的电子有效质量 m 1，m 2，m 3 分别取为 0．75m0，0．24m0以及 1．83m0 ． 1．2 电子霍耳迁移率和散射 因子模型 [收稿 日期]2004—10—19．[修回 日期]2005—02—25 [基金项 目]教育部重点(02074)和国防科技预研基金 (51408010601DZ1032)资助项 目 [作者简介]王 平(1977一)，男，陕西西安，博士生，从事 SiC半导体材料数值计算及其器件建模方面的研究 维普资讯 第 1期 王 平等：SiC电子霍耳迁移率的计算 本文采用各向同性弛豫