《Improved resistive switching stability of PtZnOCoOxZnOPt structure for nonvolatile memory devices》.pdfVIP

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2015-09-27 发布于浙江
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《Improved resistive switching stability of PtZnOCoOxZnOPt structure for nonvolatile memory devices》.pdf

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Rare RAREMETALS Met．(2013、32(6)：544_549 DOI 10．1007／s12598—013．0080—7 resistiveresistive stabiliof 00nO／H ImI,,dswitchingvitchingstability r structurefornonvolatiledevices memory Pan GuangChen，ChengSong术，Feng online：27 Received：222013／Revised：4March 2013／PublishedJune2013 January 2013／Accepted：21May @TheNonferrousMetals ofChinaand Berlin 2013 Society Springer—VerlagHeidelberg AbstractFor structure，ran— Pt(Ag)／ZnOsingle—layer／Pt widely dora10formation of to and and conductivefilaments due chemical rupture investigatedsimple compositions or ionsoften vacanciesmetallic causeexcellentresistive composedbyoxygen switching of film resistive based isoneofthemost dispersionproblems switching(RS)parame— promising is todevices shows asa ters，whichdisadvantageous materials，which application．In goodperformanceswitching this wereutilized forthe of tem— study，ZnO／CoOJZnO(ZCZ)tri．1ayerslayer applicationRRAM[5-7，131，room asthe to theirRS as for 3—1 9】and switchinglayersinvestig