浅谈多晶硅启炉方式发展趋势.docVIP

目 录 摘要 2 1引言 2 2外置热源加热启动方式介绍 3 2.1外置热源加热启动方式基本过程 3 2.2外置热源加热启动生产实际问题 3 3高压启动 4 3.1高压击穿基本原理 4 3.2高压启动的基本过程 5 3.3高压启动对于外置热源加热启动的优越性 6 3.4高压击穿启动方式存在问题 6 3.5高压击穿问题解决办法 6 4结论 6 浅谈多晶硅启炉方式发展趋势 李超云 昆明冶研新材料股份有限公司 摘要：目前多晶硅行业还原电源系统的启动方式主要有外置热源启动和常温高压击穿启动，本文首先介绍了外置热源启动实际生产中的优缺点，进而与高压启动方式对比。说明高压启动在多晶硅生产中的优越性并就高压击穿的缺点提出改善方法。 关键词：多晶硅 还原电源 外置热源 击穿方式 高压启动 Abstract:Currently, the means of the power supply system ignition for Reactors could be divided into external heating source ignition and High-Voltage ignition.In this paper the advantages and disadvantages of external heating source ignition will be discussed first.Then the comparison with High-Voltage ignition will be developed.More over, The superiorities of High-Voltage ignition for the actual polycrystalline silicon production will be described and the countermeasures will also be emphasized in this paper to help dealing with its inferiorities. Key Words: Polycrystalline Silicon, Power Supply for Reactor, External Hearting Source, Means of ignition, High-Voltage ignition 1引言 在传统的多晶硅生产过程中，硅芯击穿一直都是多晶硅生产的基本步骤，此步骤的成败直接关系着多晶硅企业的兴衰。目前国内大多数多晶硅厂家所采用的击穿方式为外置热源加热击穿，即将硅芯加热到一定温度使硅芯电阻降低到一定值后通入中压击穿，此种方式具有对设备绝缘要求低，安全系数高等优点：但同时也存在着启炉成功率低，生产耗能高，人员操作工序复杂，且存在着因击穿之后操作人员须打开还原炉顶部法兰提出加热器而带入杂质影响多晶硅产品质量的问题。 本文从多晶硅生产实践出发，提出多晶硅生产中采用高压启动的必要性以及具体实施方案并就高压启动中存在的绝缘要求高，安全系数低的特点提出了相应的解决办法。 2外置热源加热启动方式介绍 2.1外置热源加热启动方式基本过程 外置热源启动方式一般分为以下几个步骤： 还原炉开炉准备工作完毕→把外置加热器吊入还原炉内并安装好→用氮气置换还原炉内的空气到合格（1.5至2小时）→给卤素灯加热器通电至炉内温度在400℃左右（30分钟）→启动调功箱开始硅芯击穿并把硅芯电流控制在30A→在硅芯通电状态下拆除卤素灯加热器→用氮气置换还原炉内的空气到合格（1.5至2小时）→用氢气置换还原炉内的氮气到合格（1.5至2小时）→在氢气环境下将电流升至70～80A后开始进料。 2.2外置热源加热启动生产实际问题 外置热源启动方式具有对设备绝缘要求低，安全系数相对较高等优点，但是就目前形势而言，它已经不能满足当代多晶硅生产的要求。其原因在于它具有以下缺点： （1）从开炉准备工作完到开始进料的用于启动的时间很长，整个过程在5小时以上，从而客观上延长了还原炉的运行周期，提高了生产成本。 （2）从硅芯击穿到用氢气置换结束总共5小时的时间内，每炉需要多消耗电能在1000度以上，但又无法删除此过程，这部分电能实际上就是被浪费了。 （3）在击穿过程中硅芯还有可能击不穿，由于炉壁太脏，热量太量被炉壁吸收。 （4）在拆除卤素灯的过程中，处于高温状态下的硅芯会受到空气污染，影响产品质量。 （5）外置加热源使用寿命在50~100次，外置加热源的频繁更换也间接的提高了多晶硅工厂的生产成本。 （6）有2个氮气置换过程，氮气消耗量大。 3高压启动 3.1高压击穿基本原理 下图是高压击穿原理示意图： 图一 图二 高压启动的原理是：如图一所示利用升压变压