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纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器
第 卷增刊 半 导 体 学 报
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杨燮龙 杨介信 戴文恺 赵振杰 马学鸣 俞建国 丁永芝
华东师范大学物理系 上海
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华泰纳米磁敏器件研究所 上海
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摘要 利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发 它与传统的磁通门 霍尔和磁电阻传感器
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相比具有灵敏度高 温度稳定性好 使用寿命长等优点 已分别应用于汽车测速 电喷发动机点火和其他工业自动
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化控制等方面
关键词 巨磁阻抗效应 磁敏传感器 纳米微晶
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OI11/ QI11/
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中图分类号O I! 文献标识码O 文章编号O/!10KFIIE!//0J /K/!/!K/0
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显的差别
引言 图 是用四探针法测定材料巨磁阻抗效应的示
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意图 设样品长度为 半径为 当样品通频率为
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巨磁阻抗效应是指磁性材料的交变阻抗随外磁 的交变电流 时 则阻抗表达式写为
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场显著变化的效应 年日本名古屋大学 q EpgJ
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