AFM电化学阳极氧化制备二氧化钛纳米线.pdf

无 l 第11期 机 化 学 学 报 V01．20．No．1 CttINESE 2004年li月 JOURNALOFINORGANlCCHEMISTRY Nov．．2004 霾 AFM电化学阳极氧化制备二氧化钛纳米线 焦 正 吴明红 施利毅 李 珍★ 王艳丽 (上海大学射线应用研究所，上海201800) 关键词 纳米线 阳极氧化 AFM Ti02 分类号 0614．41 当材料的微观尺度进入纳米量级后，由于量子 nm。s‘o 效应，材料常常会显现出特殊的性能。因此近年来制 上述制备的Ti／SiO：／Si用于AFM阳极氧化实 备量子点、量子线，以及具有量子效应的量子器件受 验。用于阳极氧化的AFM为日本SEIKO公司的 到深入的研究。一些新的纳米尺度加工技术如原子 力显微镜(AFM)微细加工技术受到研究者的重视。 探针，表面镀金，工作在contact模式下。环境相对湿 AFM微细加工技术的原理，是在探针和样品之 度为40％。 间加上阳极电压，在水分子存在的条件下，对样品表 2结果与讨论 面纳米尺度的局部区域进行氧化，从而加工得到纳 2．1 阳极氧化模型与理论推导 米结构和纳米器件。1990年Dagata等第一次成功地 图1为AFM阳极氧化过程中薄膜内部电荷移 在Si表面进行了局部氧化【11。Sugimura等提出了有 动的示意图。其中上、上分别表示离子和电子产生的 吸附水存在时表面阳极氧化的原理【21。Snow等首次 利用AFM微细加工技术制备纳米器件，制备了Ti电流，了表示全电流。X。表示时间相关的氧化膜厚， Xj表示起始氧化膜厚。．厂表示阴离子的移动，n，表示 量子线131。Matsumoto等利用Ti量子线制备了室温下 工作的单电子晶体管【4l。从此之后利用AFM进行微氧化膜中阴离子浓度。 缅加工成为可能。近年来在硅片表面利用AFM进行 E i／‰ ．．卜———一 局部氧化的工作越来越多|5棚I。 electricneId 本文中采用AFM阳极氧化方法，在Ti／Si02／Si clcclrolyic Si()． 表面对Ti进行氧化，制备了二氧化钛纳米线。从半 导体理论出发，推导了氧化薄膜厚度和外加电压、反 应时间等因素的关系，并与试验结果进行了比较。 ■ - ’●_ ●- 1 实验部分 啼 衬底选用P型硅片Si(100)，用热氧化工艺在表 面制备厚度为0．3恤m的SiO：层。采用真空蒸发法 BE的Ti薄膜。Ti源 图1 阳极氧化过程中电荷移动示意图 在Si02／Si表面制备厚度为80