CdZnTe平面核辐射探测器研究.pdf

38卷第3期 人 工 晶 体 学 报 v01．38N。．3 2009年6月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS June，2009 CdZnTe平面核辐射探测器研究 于 晖，介万奇，查钢强，杜园园，王 涛，徐亚东 (西北工业大材料学院，西安710072) mmX7衄×2．5 摘要：采用垂直Bridgm锄方法生长的CdZnTe晶体，定向切割成12 lllm单晶片。通过研磨、抛光、 腐蚀、电极制备、钝化、退火等一系列工艺，制成了Au／CdZnTe／M平面探测器。重点研究了快速退火对电极接触特 性的影响。测试了Au／CdZnTe／A]平面探测器的能谱响应特性。结果表明：在室温偏压为350V条件下，探测器 59．54 keY 的…Am keY光谱能量分辨为3．95％(2．35FWHM)。 关键词：CdZnTe；平面探测器；快速退火；能量分辨率 中图分类号：TN304 文献标识码：A ResearchonCdZnTePlanarDetector YU Hui，JIE Yuan-yli．口lt，WANGTao，XU Wan-qi，ZHA缸ng—qiang，DU Ya一面昭 ofMaterialScienceand (School En@neefing，NorthwesternPolytechnieⅧlUniversity，Xilm710072，China) (＆蒯26仉唧n6口2008，∞删20February2009) modifiedvertical methodweretunedinto withthe Abstract：CdZnTecrystalsgrown by Bridgman pieces dimensionsof12nunX7mmX2．5lnin ofientafion．TheCdZnTe detectorW88 alongspecifical planar fabricatedaseriesof through processing：grinding，mechanicalpolishing，chemicalpolishing，electrode 80on．The WaS ontheevaluationof preparation，passivation，fastannealing，and emphasisgiven electrode beforeandafterfast oftheAu／CdZnTe／ properties annealing．TheX-rayspectroscopyresponse A1 Wagobtainedatroom with detector underabiasof350 uncollimated planar temperature V，irradiated ⅢAm withthe reso[utionof keV isotope