Fe掺杂CoSb3化合物的热电性能及电子结构研究.pdf

第40卷第2期 人 工 晶 体 学 报 v01．40 N。．2 ——．兰Q!!生兰旦 』Q坠垦堕垒垦Q!墨羔堕!型垦卫垦垦曼!塑垒坚 一一：垒巳至!：!堡! 电性能及电子结构研究 Fe掺杂CoSb3化合物 朱云广，沈鸿烈，陈海力，鲁林峰，管 浩 (南京航宅航天大学材料科学与技术学院，南京210016) 摘要：采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了co。。Fe，sb。：化合物，探讨了Fe掺杂对化合物热电性能的影响； 利用基于密度泛函理论质势平面波的方法对Fe掺杂前后的CoSb，的电子结构进行了计算。结果表明：在C04。 Fe，sb，：化合物中Fe的国溶极限x在0．3～0．5之间；CoSb，的费米面位于导带和价带之间，其电阻牢随温度的升高 而降低，为非简并半导体；Fe掺杂后费米面进入价带，使其成为P型简并半导体，电阻率较掺杂前大大降低并随温 度的升高而增加；本实验条件下，c03，Fe03sb。2化合物的功率因子在600K时出现1406．31斗w／m·K2的最高值， 是未掺杂试样的功率因子最高值的7．4倍。 关键词：C04。Fe。Sbl2；冷等静压；热电性能；电子结构；能带结构；态密度 中图分类号：TN304．2 文献标识码：A ThermoelectricandElectronicStructureof Properties Fe-dopedCoSb3Compounds Hai—li，LU Hao ZHU}run-guang，SHEN舶凡g—lie，CHENLin-feng，GUAN ofMaterialsScienceand of and Aeronautics 210016。China) (College Technology，NanjingUniversity Astronautics。Nming 15November (Received December 2010．“Ⅻ∥甜22 2010) 。 were withcoldisostatic Abstract：C04。Fe。Sbl2compounds mechanicalcombined preparedby alloying methods．TheeffectofFe onthethermoelectricwasstudied．Theelectronic pressing doping properties of structure and wascalculatedthefirst Fe·-doped compounds undoped using principleplane—·wavepseudo·· basedonthe function and results