Si3N4TiN复相陶瓷常温导电性研究.pdf

助 锨 材 料 Si3 N4／TiN复相陶瓷常温导电性研究’ 张淑会1，康志强2，吕 庆1，薛向欣3，陈红建1 (1．河北理工大学冶金与能源学院河北省现代冶金技术重点实验室，河北唐山063009； 摘 要： 分析了以高硅铁尾矿合成的Si。N。粉和高 2 实 验 钛渣为原料常压烧结制备的Si。N。／TiN复相陶瓷的常 温导电性，并对其进行放电加工。研究结果表明，初始 采用碳热还原氮化法，以高硅铁尾矿为原料合成 原料中20％(质量分数)左右的Tio。加入量是决定材 料中TiN能否形成导电网络的最低Ti02加入量，此的主相为Si。N。(晶粒多呈等轴柱状或短棒状)，同时存 x10-2 时材料的电阻率为4．25 Q·cm。烧结温度升 高，材料的电阻率略有降低。随放电加工速度的增加， 加工表面的粗糙度明显增加。 关键词： Si。N。／TiN；复相陶瓷；导电性能；放电加工 中图分类号：TQl74．75 文献标识码：A 文章编号：100l一9731(2010)12-2206-04 l 引 言 陶瓷基复合材料的制备工艺通常是在陶瓷基体中 直接加入第二相的纤维、晶须等混合后进行烧结。作 Z们I。) 图1 Si。N．粉末的XRD图谱 为第二相的增韧增强体，往往需预先制备后加入，这容 1 XRD ofthe 易造成其在基体中分布不均，或与基体相容性差等问 Fig patternSi3N4powder 题。原位合成技术制备复相陶瓷正是基于上述问题发 以高钛渣为原料提供材料烧结过程中所需的 展起来的具有突破性的工艺方法。该技术具有制备工 艺简单，降低原材料成本，增强相细小且分布均匀，基 相与增强相界面相容性好等优点Ll】。另一方面，陶瓷 材料属于典型高硬度、脆性材料，加工极其困难，这在 罐中细磨至平均颗粒直径75／-m。采用Y：0。和 很大程度上限制了其推广应用。而放电加工(电火花 Al。o。为烧结助剂以提高烧结材料的强度和韧性】。 切割)是当前加工导电陶瓷复合材料的一种有效手段， 各烧结试样的原料组成如表l所示(按括号内的TiO。 其与传统加工方法相比具有成本低、效率高等特点。 含量依据高钛渣中的Ti0：含量计算得出)。 在现有的导电陶瓷基复合材料研究中，绝缘基相 表1 TiN／Si。N。导电陶瓷复合材料试样的原料组成 (质量分数，％) 主要包括Si。N。、Sialon、Si：N20、Zr02、BN等，导电相 Table1 Theinitialrawmaterial ofthe 主要为TiN、TiC、TiB2、MoSi2、Mo、W等，其中以TiN compositions 作为导电相的研究较多f2]。纯Si。N。和TiO。通过原 TiN／Si3N4electroconductiveceramiccorn— 位反应可以制备出性能良好的Si。N。／TiN复相导电陶 posites(wt％) NO Si3N。 Y203A12(X 瓷[3]，但其制备成本高。因此，如何在保证复相陶瓷材 Slag(Ti02) 料性能的同时提高其可加工性，又能降低生产成本已 Tlo78．594 11．406(10)5．0005．000 成为该领域的研究热点。为此，本文从资源综合利用 T1572．890 17