p+-ZnSe∶N单晶薄膜的MBE生长与特性研究.pdf

第 卷第 期 红 外 与 毫 米 波 学 报 19 Vol. 19, No. 年 月 2000 10 J. Infrared Millim. Waves October,2000 p+-ZnSe N= 单晶薄膜的MBE 生长与特性研究 王善忠 谢绳武 庞乾骏 (上海交通大学应用物理系 光电材料与光电器件实验室, , 电子工程系 区域光纤网与新型光通信系统国家实验室 上海, , ,200030) 姬荣斌 巫 艳 何 力 (中国科学院上海技术物理研究所 半导体薄膜材料研究中心, , 红外物理国家实验室 上海, ,200083) 摘要 研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 将此氮源安装到国产, FW- I 型分子束外延设备上 成功地生长, 了 型 = 优质单晶薄膜. 测量表明 薄膜中氮浓度高达, ~1. 1020 3 测量表明 氮在, 中形 p ZnSe N SIMS cm PL ZnSe 成了受主能级 - 测量表明 净空穴浓度, [ ] [ ] 1017 3 ,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要 C V cm 求(~4.01017cm 3). - 测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证. C V 关键词 氮掺杂源, , - ,评价. MBE p ZnSe MBE GROWTH AND CHARACTER ZAT ON OF + HEAV LY DOPED p -ZnSe N EP LAYERS= WANG Shang Zhong XIE Sheng Wu PANG Oian Jun- - - (Laboratory for Optoelectronic Materials SOptoelectronic devices Applied Physics department, , - and Laboratory on Local Fiber Optic Communication NetWork s SAdvanced Optical Communication Systems, Electrical Engineering department Shanghai Jiaotong, University Shanghai, 200030, China) JI Rong Bin WU Yan ~E Li-