SiCZnOSi镶嵌结构的光致发光研究.pdf

魏晋军等：SiC／ZnO／Si镶嵌结构的光致发光研究 SiC／ZnO／Si镶嵌结构的光致发光研究。 魏晋军1，马书懿2 摘要： 采用磁控溅射法制备了SiC／ZnO／Si镶嵌结优于99．9％的Ar气体，基片与溅射靶的间距为 构复合薄膜，对样品采用了不同的温度进行退火处理， 测定了样品的光致发光图谱。结果显示，复合薄膜的 光致发光强度较单体薄膜有一定的增强，主要原因是 样品制备过程中射频溅射功率控制为85W，样品沉积 发光复合中心的多元化和分布浓度的增加；随着退火 时间分别为1h，根据实验测试目的不同，分别制备了 温度的不同，各峰位的变化趋势有所不同。 关键词： 磁控共溅射；复合薄膜；光致发光 300℃的两组样品，相同条件下退火时间为30min。 中图分类号：0469 文献标识码：A 文章编号：1001—9731(2010)12—2151-02 1 引 言 自从半导体材料的光致发光现象被发现以来，其 广阔的应用前景一直备受人们关注，目前在研究过程 中遇到的最大困难之一就是发光强度弱，效率较低[1]， 突破这一难题的重点研究方向是硅材料改性和硅摹材 料的镶嵌结构心1。硅基材料镶嵌结构由于发光复合中 图1 复合靶结构示意图 心多元化以及纳米界面薄膜层的引入，基于量子尺寸 1 Sketchofthe Fig map compositetarget 效应能够产生光学能隙宽化，叮见光光致发光，共振隧 薄膜的结构分析采用BDX3200型衍射分析仪 道效应，非线性光学等独特的光电性能¨j，同时与现代 集成电路存在较好的工艺接口，因而日益成为关注的 焦点。 si是半导体工业的基础材料，应用广泛，工艺成 熟，是非直接带隙半导体材料；SiC是一种优秀的微电 在室温F完成。 子材料，在高温、高频、大功率、强辐射环境中颇具应用 3结果与讨论 潜力，它是间接禁带半导体，只在低温F在480nm处 有微弱的蓝光发射；ZnO是一种直接宽带隙多功能半 图2是在不同退火温度下薄膜样品的XRD三维 导体材料，具有优良的物理性能，在高效率光散发设备 斜向视图(峰位角度以最前低图线为准，其它图线峰位 和声表面波、透明电极、蓝光器件n。63等方面都有较大 在相对应的同一角度处，但反映强度变化)，分别对应 的应用潜力。 2 实 验 在2口为29。附近处都有一明显峰位，对应于Si衍射 峰【7J，在2口为27。附近处有一明显峰位，对应于石墨 样品采用磁控溅射法在JGP560B型超高真空磁 衍射峰；20为37。附近处有一明显衍射峰，归属于 控溅射设备上制备。靶材采用99．9％高纯度1／4圆 周弧度SiC靶、zno靶各两块，拼接为整体圆形，上表 面间隔覆盖条状Si(111)靶片；面积比为S(SiC)：5 变化，均未出现明显新峰。2口为27。附近处石墨衍射 (ZnO)：s(Si)一1：1：2，结构如图1所示。 峰随退火温度升高而降低，表明薄膜中生成的碳微粒 石英玻璃衬底在制备前用甲苯、丙酮、乙醇及去离 随温度升高转变为多型SiC微晶，这一点也可以由2口 子水依次进行超声清洗15min，清洗