SiC的添加对AlNMoSiC复合陶瓷的制备和性能影响探究.pdf

第35卷第6期 稀 有 金 属 2011年11月 OF VoL35 No．6 CHINESEJOURNALRAREMETALS Nov．2011 董 茜，杨志民‘ (北京有色金属研究总院先进电子材料研究所，北京100088) 摘要：以氮化铝(AIN)，钼(Mo)，碳化硅(sic)为原料，采用放电等离子烧结的方式，在1700℃，30MPa制备出致密度高达98．5％的SiC添 性能和热导率进行了测试分析。研究结果表明：采用放电等离子烧结工艺，在较低的温度下可以制备出组织致密均匀的AIN／Mo／SiC复合材 Mo复合陶瓷，复合材料的电阻率得以进行有效的控制，不会出现非线性突变一渗流现象，而是在一定的范围内缓慢下降。在26．5—40．0GHz下 复合材料的介电常数和介电损耗均随着SiC含量的增加而增加。复合材料的热导率随着SiC含量的增加而下降：当致密度高于某临界值时。 其热导率主要受SiC含量及其分布状态的影响，随着SiC含量的增加呈缓慢下降的趋势；而当致密度低于临界值后，致密度成为热导率的决 定性因素，使得复合材料的热导率随着致密度的降低快速下降。 关键词：A1N／Mo／SiC复合陶瓷；放电等离子烧结；电阻率；介电性能；热导率 1．06．020 doi：10．3969／j．issn．0258—7076．201 中图分类号：TFS02．67文献标识码：A 文章编号：0258—7076(2011)06一0904—05 EffectofSiConFabricationand ofAIN／Mo／SiC Properties Composite Zhimin’ DongQian，Yang ElectronicMozeriak ResearchInstituteNon—Ferrous (Advanced Institute，General for of AIN·Mo-SiC ce姗icswithrelative morethan98．5％with andSiC鹕the mate．- Abstract：Thecomposite density AIN．Mo starting rialscouldbe the of1700oCandunderthe of30MPa．The S)at preI删redby8parkplasmasintering(SItemperatures pressure phase structureandmlcrostruetureofdifferentSiCcontent Wereobserved field-emissione- samples byX—raydiffraction(XRD)and scanning lectron also dielectric andthermal were tested．The re- microscope(FESEM)respectively．Theconductivity properties experime