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SiO2聚酰亚胺SiO2复合薄膜绝缘性能及基于聚酰亚胺复合薄膜的后栅型场致发射性能的研究.pdf
真空科学与技术学报 第32卷第3期
214 衄嗍JOURNAL0FVAc删Sc]唧哑AND1EcHNOLOGY 2012年3月
Si02／聚酰亚胺／Si02复合薄膜绝缘性能及
基于聚酰亚胺复合薄膜的后栅型场致
发射性能的研究
郑灼勇 于光龙。 张志坚陈景水郭太良张永爱
(福州大学物理与信息工程学院福州350002)
Films
Characterizationof and
Si02／Polymide／Si02Composite
Its inFieldEmission
Applications Display
Zheng Guallglong’，撕础i肌，ChenJingshui，GuoTailiang，蛳Yongai
Zhuoyong，Yu
350002，Ch／aa)
(Collegeof啪and幻抽rl如nEngineed增，Fuzhou‰毋，Fuzhou
AbstractThe filmswere acombinationofRF
composite depositedby magnetronsputter-
Si02／polymide(PI)／Si02
withx-
andchemicalsolution microstructuresand ofthe filmswerecharacterized
iIlg deposition．The propertiescomposite
ofthefilms
and electron ofthe conditionson were
diffraction quality
my scanning microscopy．Theimpactsdeposition
fieldemission Wagfabricatedwiththe
studied．The under-gate display(rED)device Si02：／PI／Si02comtx蛤ite
prototyped
films．Variousofthe thebreakdownandon-set emission
propertiesdevice，including voltages，peak
results filmisa
non8 measured．Theshowthatthe
intensity，andle蛔current，were Si02／PI／Si02composite potential
FED breakdownandlow
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