Sm掺杂Bi4Ti3O12陶瓷晶体结构及电性能的研究.pdf

第38卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v。1．38N。．4 一!竺!篁垒旦 丝些坚些垒!竺!些垒三坚!里!!垒兰!三垒坚 !!些当!竺 Sm掺杂Bi4Ti3012陶瓷晶体结构及电性能的研究 王瑾菲1”，蒲永平2，杨公安1，庄永勇1，杨文虎1，毛玉琴1 (1．陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室，西安710021： 2．陕西科技大学材料科学与工程学院，西安710021) 及电性能的影响。结果液明：所制备的Bi。。Sm。Ti30。2陶瓷均具有单一派变相结构，BST陶瓷表面晶粒的显微形貌 液观为随机排列的棒状结构。样品的铁电性能测试表明，Sm“施主掺杂明昆降低了BIT的电导率，随着Sm“含量 的增加，Sm¨逐渐有部分取代B位，由于Sm“取代Ti4+大大降低了氧空位的浓度，使得氧空位鲋电畴的钉扎作用 减弱，荠显材料的剩余极化P。也相应提高。 关键词：霾穰反应；Bi。Ti3012；Sm掺杂；余毫瞧麓；曩傣结稳 巾图分类号：TQl74 文献标识码：A on StructureandElectrical Crystal Properties Investigation of Ceramics Sm-dopedBi4Ti3012 Yong-pin92，YANGGong．an’，ZHUANGYong—yon91，YANGWen—hul，MAO玩一qinl 1E4NG藏乒蹬，PU of of forChemicalIndustry，Mimstry (1。KeyLaboratoryAuxiliaryChemistry＆Technology Education， of Shaanxi Scienceand University Technology，Xikn710021，China； 2．SchoolofMaterialsScienceand ofScienceand Engineering。ShaanxiUniversity Technology，Xi缸710021，China) 24 November (Received 2008) lead—freedielectricceramics Abstract：Sm3+-dopedlayer-structured thesolidreaction structureandelectrical crystal 0．75，1．00，1．25)werepreparedby technology．The of materialswerecharacterized SOon．Theresultsin