(Pb,La)TiO3LaNiO3异质结薄膜的漏电流特征.pdf

第37卷 增刊2 稀有金属材料与工程 V01．37，Suppl．2 2008年 5月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING 2008 May 程铁栋，唐新桂，匡淑娟，熊惠芳，刘秋香，蒋艳平 (广东工业大学，广东广州510006) (xffi28t001％，简称PLT)薄膜。经过600℃快速退火。从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜。薄膜漏电流和电压极性有 触；在高电场作用下，Pt／PLT和PLT／LNO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制。这是因为用金属氧化物 LNo做底电极的缘故。 关键词：PLT薄膜；界面特性；漏电流；肖特基发射：空间电荷限制电流 中图法分类号：TN304，TM53文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2008)S2．233．04 电容表现出很低的漏电流。也有文章称，用氧化物做 1 引 言 电极代替Pt时，电容表现出非常好的抗疲劳特性。由 以低功耗、小体积为要求的非易失性动态随机存 于LaNi03具有高电导率特性，和导电金属有类似性质 储器(DRAM)是目前各类计算机系统使用最广泛的 存储器件。同时随着大规模集成电路的发展，器件的 有望取代Pt的电极材料。同时，LNO薄膜和PLT薄 尺寸要求越来越小。由于具有优良的介电／铁电性能， 膜有相似的钙钛矿晶体结构，两者之间界面良好，易 铁电薄膜则常被采用作为DRAM电容器的介质材料。于制备晶格常数匹配的(Pb，La)Ti03薄膜。 因为铁电薄膜一般具有较高的矫顽场，为了和传统的 2 实 验 Si集成电路的工作电压兼容，铁电薄膜必须制备得很 薄。在介电薄膜通电工作过程中，通过的漏电流通常 2．1 前驱体溶液的配置 是不可避免的，其大小往往取决于材料特性、制备工 艺过程等。为增加器件长时间工作的稳定性，减少功 醋酸镍、硝酸镧为原料，乙二醇甲醚作溶剂。将醋酸 耗，有要求256M比特存储器在低1．6V工作的漏电流镍和硝酸镧分别溶于乙二醇甲醚，70C加热搅拌至溶 须小于1．0x101A／em2。因此，对低漏电流铁电薄膜材解。然后将两种溶液混合继续加热搅拌60min。冷却 料的研究对于制造高集成度的存储电路具有非常重要 到室温后，保存待用。 的意义。 作为一种铁电材料，PLT薄膜在红外传感、微 (x=28m01％。称为PLT)前躯体溶液：以醋酸铅、硝酸 电子机械方面的应用已有研究【1，2】，也有在光波导方面 镧、钛酸丁酯为原料，乙二醇甲醚和冰乙酸作溶剂。 的应用价值13,4]。生长在Pt／Ti／Si02／Si衬底上以Pt为将醋酸铅和硝酸镧分别溶于冰乙酸和乙二醇甲醚，70 顶电极的PLT铁电薄膜其铁电及漏电流特性已有研究 ℃加热搅拌至溶解。然后将两种溶液混合继续加热搅 [51，我们的研究结果表明，在O～±4V范围内，其漏拌30min。冷却到室温后，将适当剂量的钛酸丁酯加 入上述溶液并在70℃均匀搅拌30min。为了补偿沉 电流低于1．O×10。A／cm2。然而，对以LaNi03作为底 电极的PLT薄膜的漏电流特性有深入研究报道的却很 积过程中的铅损耗，事先在制备过程中加了10％过量 铅。溶液最后的浓度可以通过加入乙二醇甲醚和冰乙 少。但有文章报道用磁控溅射法在Pt／Ti／Si02／Si(100) 衬底上沉积BST／LNO薄异质结构薄膜，这样得到的 酸，从而将其调整到O．2M／L，pH值在2~4之间，保 收稿日期：2007．11-22 基金项目：广东省自