SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究.pdfVIP

第30卷，第3期 光谱学 与光谱分析 201 0年3月 and March，2010 SpectroscopySpectralAnalysis SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究 苗瑞霞，张玉明，汤晓燕，张义门 西安电了科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件霞点实验室，陕西西安710071 摘要 由于在研究SiC晶体缺陷对器件件能的影响的过程中，表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的，因 此寻找一种尤损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(cL)的工作原理对4H—SiC 同质外延材料的晶体缺陷进行r尤损测试研究。结果发现利用阴极荧光町以){!Il测到晶体内部的堆垛层错、 刃位错和螺位错以及基面位错，其阴极荧光图中的形貌分别为直角二三角形、点状和短棒状。因此该方法成为 SiC晶体缺陷的无损表征时的一种有效的测试方法。如果利用该方法对材料的衬底和外延层缺陷分别进行观 测就能建直起衬底和外延层缺陷之问的某利-联系，另外对器件I：作前后的缺陷进行表征，建立器件．r作前 后缺陷之间的联系，就叮以进一步地研究材料缺陷对器件性能影响的问题。 关键词 阴极荧光；4H—SiC；无损表征；位错及堆垛层错 中图分类号：0474文献标识码：A DOI：10．3964／j．issrL1000—0593{2010)03—0702—04 测试方法来说由于受到紫外激光器波长的限制而不能实现有 引 言 效的本征激发，因此利用光致发光研究这类宽禁带半导体材 料的发光特性足很Ⅲ难的，对缺陷的形貌观察则更阑难口]。 宽禁带半导体材料具钉优越的电学和热力学特性，如高 阴极荧光是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激 的临界击穿电场、高饱和电子漂移速度，以及高的热导 发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子义重新 率【l‘2]。相比si材料，常见品型4H—SiC材料的击穿电场是它跳同价带，并释放f{j能龋的特征荧光谱，相比于光致发光而 的10倍，饱和电子漂移速度是其2倍，热导率将近3倍。这言，阴极荧光的方法町测虽更宽范嗣的波段，对某些宽带半 些特性使得宽禁带半导体材料4H—SiC成为高温高频大功率导体材料来说可得到有效的激发。同时利用阴极荧光中的单 电子器件的理想材料f1]。然而体牛长的4HSiC材料存在着 色光成像可以观测晶体内部信息。因此本文试}冬}利用阴极荧 很多缺陷，这些缺陷在外延生长巾彳r的转化为堆垛层错，有 光这一特点对宽禁带半导体SiC进行尤损测试，观测品体中 的延伸到外延层，严重影响器件的性能。最近的研究结果表 的缺陷分布以及形貌，为后续的研究确定一种有效的无损测 明：基面位错在外延牛长时J￡中一部分延伸到外延层，还有 试的方法。 一部分进一步扩展形成堆垛层错，形成的堆垛层错将俘获载 流子并显著地埘…器件的电阻，导致器件正向电压漂移[3“。 1 实验 为了进一步深入研究晶体缺陷对器件性能的影响，材料的缺 陷表征与分析则成为开展该项研究J：作的基础。 本文利用的阴极荧光谱仪足作为附件安装在扫描电镜卜 常规研究缺陷的方法有KOH刻蚀，刻蚀后通过扫描电 的，CL荧光探头伸入扫描电镜样品室中接受样品产生的荧 子显微镜(SEM)对缺陷形貌以及缺陷密度进行测试分析，该光信号。其阴极荧光设备为英国Gatan公司生产的，型号为 方法由于腐蚀性对材料是破坏性的，因此局限性大。透射电 Monocl3+。测试时选取28光孔，CL标准距离为12．7nlrn， 子湿微镜(TEM)也是一种高分辨的观测缺陷的方法，但是测试温度300K。本实验选取的样晶为采用CVD法外延牛长 由于TEM要求样品厚度在纳米级，而SiC高硬度的特性， 也使该方法在研究SiC材料的缺陷时受到一定