Sr2+对白光LED用荧光粉YAGCe3+的增红研究.pdf

第３２卷　第１１期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３２ Ｎｏ１１ ２０１１年１１月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｎｏｖ．，２０１１ 文章编号：１０００７０３２（２０１１）１１１０９９０５ ２＋ ３＋ Ｓｒ 对白光ＬＥＤ用荧光粉ＹＡＧ∶Ｃｅ 的增红研究 １ １ １，２ ２ １ 赵　聪 ，马明星 ，韩　涛 ，曹仕秀 ，朱达川 （１．四川大学 材料科学与工程学院，四川 成都　６１００６５； ２．重庆文理学院材料交叉学科研究中心，重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室，重庆　４０２１６８） 摘要： ３＋ 采用共沉淀法合成Ｙ ＳｒＧｄ ＡｌＯ ∶０．０６Ｃｅ 系列荧光粉，用Ｘ射线衍射仪、荧光分光光度计对 ２．７８－ｘ ｘ ０．１ ５ １２ 粉体晶型、发光性能进行表征。采用ＨＳＰ６０００光谱分析仪，测荧光粉与ＩｎＧａＮ／ＧａＮ芯片配合所得白光的色 ２＋ 温。结果表明，Ｓｒ 对其波长和发光强度有显著影响：波长随着ｘ的增大先红移，然后发生微弱蓝移。当 ｘ＜０．０５时，发光强度几乎不变；ｘ在０．０５～０．１之间时，发光强度减弱缓慢；ｘ＞０．１时，发光强度迅速减弱。 随着波长和发光强度的变化，色温先降低后升高。当ｘ＞０．２时出现杂相Ａ，对荧光粉发光性能有负面效应。 ３＋ 关　键　词：Ｙ ＳｒＧｄ ＡｌＯ ∶０．０６Ｃｅ 荧光粉；红移；共沉淀法 ２．７８－ｘ ｘ ０．１ ５ １２ 中图分类号：Ｏ４８２．３１　　　ＰＡＣＳ：７８．５５．Ｈｘ　　　ＰＡＣＣ：７８５５Ｈ　　　文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ１０９９ ３＋ 场所决定的。ＹＡＧ∶Ｃｅ 的发光原理是蓝光激发 １　引　　言 ３＋ Ｃｅ 的５ｄ ４ｆ电子发生特征跃迁发射发出黄 → １９９７年，日亚化学公司利用蓝光ＩｎＧａＮ／ＧａＮ ［５］ ３＋ 光 。一些报道中提到，向ＹＡＧ∶Ｃｅ 中掺杂 ３＋ ３＋ ３＋ ２＋ ３＋ ［２１０］ 芯片上涂敷 ＹＡＧ∶Ｃｅ 黄色荧光粉，由荧光粉发 Ｇｄ 、Ｐｒ 、Ｅｕ 、Ｓｍ 等元素 ，可以调节 ３＋ 出的黄光与ＩｎＧａＮ／ＧａＮ芯片所发出的蓝光混合 ＹＡＧ∶Ｃｅ 黄色荧光粉的发射波长，使得红色成分 ３＋ 形成了白光。这种方法得到的白光 ＬＥＤ器件的 相对增加；但上述元素的掺杂将引起 ＹＡＧ∶Ｃｅ 发光颜色随驱动电压和荧光粉涂层厚度的变化而 荧光粉的发光强度大幅度减弱。要解决此问题，