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PECVD制备AZO透明导电薄膜 透明导电薄膜介绍 AZO薄膜的主要特性 AZO的PECVD制备 AZO薄膜的成分、性能分析 对本实验的总结 透明导电薄膜介绍 ■薄膜材料 薄膜材料是指材料在某个一维方向上的尺度远 远小于其他两维方向，厚度可达到纳米、微米量级。薄膜 材料是材料的一种特殊形式，是材料学领域的重要研究内 容之一。在电子器件、光学器件、航空航天、国防等各方 面均有广泛的应用。 ■目前，对薄膜材料的研究正向多种类、高性能、新工艺等 方面发展，新型薄膜材料的应用范围正在不断地扩大。 光电薄膜 导电薄膜 压电薄膜 薄膜材 电介质薄膜 料 磁性薄膜 超导薄膜 ■透明导电薄膜是薄膜材料领域一个新的研究热点。它是一 种既能导电又在可见光范围内具有高透射率的一种薄膜材 料。透明导电薄膜的种类很多 Au，Ag，Pt，Cu，等金 属在形成 3—15nm厚的薄膜时，都有某种程度的可见光 透光性，曾被用做透明电极。但由于金属薄膜对光吸收太 大，硬度低而且稳定性差，人们开始研究氧化物、氮化 物、氟化物等透明导电薄膜的制备及其物理特性。 ■其中，金属氧化物构成的透明导电材料（transparent conducting oxide简称 TCO ）占据主导地位。In2O3基薄 膜（In2O3 :Sn简称ITO ）在TCO薄膜中应用最广。 ITO薄膜不足，凸显AZO优势 ■ ITO （In2O3 Sn ）中In和Sn元素在自然界中的储存量少， 从而导致生产成本很高； ■ In和Sn材料的化学性质活泼，制备过程中工艺条件不易 控制，技术难度大； ■ In和Sn的原子量较大，成膜过程中容易渗入到衬底内 部，毒化衬底材料，尤其在液晶显示器件中污染现象严 重。 而 ZnO:Al （简称AZO ）透明导电薄膜中的Zn源，价格便 宜，来源丰富，无毒，并且在氢等离子体中稳定性要优于 ITO，同时具有可与ITO相比拟的光电特性。所以，AZO薄 膜目前已成为薄膜领域的研究热点。 AZO薄膜的主要特性 替位固溶体 Al ZnO 本征电阻率很高 禁带宽度约3.3eV 电阻率大大降低 透射率很高 (主要目的) 由于AZO膜的禁带宽度 掺杂Al的ZnO薄膜中， （3.37eV）大于可见光 导电非平衡载流子主要 子能量 （3.1eV），在 是电子，AZO 薄膜 可见光照射下不会引起 为n型半导体，Al原子 本征激发，所以对可见 为施主杂质。 因此掺 光是透明的，透射率可 Al的结果是增加了净电 高达80%—90%。Al的 子，使晶粒电导率大大